[发明专利]一种半导体三极管及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体三极管，其特征在于：其包括第一导电类型的衬底、形成在所述衬底上的第二导电类型的埋层、形成在所述埋层与所述衬底上且第二导电类型的外延层、与所述埋层相连且形成在所述外延层的第一注入区、形成在所述外延层且具有第一导电类型的第二注入区、形成在所述第二注入区且具有第二导电类型的第三注入区、形成在所述第一注入区的第一电极、形成在所述第二注入区的第二电极及形成在所述第三注入区的第三电极，所述第一注入区注入有至少两种物质形成第一晶格缺陷，所述第一注入区内的外延层具有第二晶格缺陷。

2.根据权利要求1所述的半导体三极管，其特征在于：所述两种物质包括第一类型物质及第二类型物质，且所述第二类型物质的注入浓度和能量均大于所述第一类型物质的注入浓度和能量。

3.根据权利要求1所述的半导体三极管，其特征在于：所述半导体三极管还包括位于所述第一电极、第二电极及第三电极之间的介质层，所述第一电极、第二电极及第三电极间隔设置。

4.一种根据权利要求1所述的半导体三极管的制造方法，其特征在于，包括如下工艺步骤：

步骤1：提供一个衬底；

步骤2：在所述衬底上形成埋层；

步骤3：在所述埋层进行光刻，接着先注入第一类型物质，再注入第二类型物质形成第一晶格缺陷；

步骤4：在所述衬底上形成具有第二晶格缺陷的外延层，同时形成所述第一注入区；

步骤5：在所述外延层内形成第二注入区；

步骤6：在所述第二注入区形成第三注入区；

步骤7：在所述第三注入区进行介质层的生长及回流；

步骤8：在所述介质层进行金属层生长形成所述半导体三极管的第一电极、第二电极及第三电极。

5.根据权利要求4所述的半导体三极管的制造方法，其特征在于：所述步骤2中，在所述衬底上光刻和注入第二导电类型形成所述埋层，完成后对所述埋层高温推进，再进行步骤3。

6.根据权利要求4所述的半导体三极管的制造方法，其特征在于：所述步骤3中，所述第一类型物质为磷离子，所述第二类型物质为硅离子，所述第二类型物质的浓度和能量均大于所述第一类型物质的浓度和能量。

7.根据权利要求4所述的半导体三极管的制造方法，其特征在于：所述步骤4中，先去除所述衬底表面的光刻胶和氧化层，再进行外延生长。

8.根据权利要求4所述的半导体三极管的制造方法，其特征在于：所述步骤5中，在所述外延层内进行所述第二注入区的光刻、第一导电类型注入及高温扩散。

9.根据权利要求4所述的半导体三极管的制造方法，其特征在于，所述步骤6中，在所述第二注入区内进行所述第三注入区的光刻、第二导电类型注入及高温扩散。

10.根据权利要求9所述的半导体三极管的制造方法，其特征在于，在所述步骤7后，在所述介质层进行光刻形成三个接触孔，接着分别向所述接触孔注入离子，完成后进行步骤8。