[发明专利]发光结构、显示面板和显示装置

说明书

一种发光结构、显示面板和显示装置。该发光结构包括第一发光元件；第一发光元件包括第一发光层、第一电子传输层和第一阴极；第一阴极与第一电子传输层接触设置，第一电子传输层的导带底能级大于第一阴极的费米能级，第一电子传输层的导带底能级与第一阴极的费米能级之差的范围在0.3‑0.6eV。在该发光结构可适当地降低第一发光元件的电子注入效率并与第一发光元件的空穴注入效率相匹配，进而提高第一发光元件的发光效率和稳定性。

技术领域

本公开的实施例涉及一种发光结构、显示面板和显示装置。

背景技术

随着显示技术的不断发展，显示装置的种类也越来越多。发光二极管(LightEmitting Diode，LED)显示装置由于其具有自发光、亮度高、工作电压低、功耗小、寿命长、耐冲击和性能稳定等优点受到业界广泛的关注。并且，由于发光二极管显示装置不需要额外设置背光模组，具有较轻的重量，从而利于显示装置的轻薄化，因此具有较好的市场前景。

量子点(Quantum Dot，QD)是一种新型的发光材料，具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，成为目前新型的LED发光材料的研究热点。因此，以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diode，QLED)成为了目前新型显示器件研究的主要方向。

发明内容

本公开实施例提供一种发光结构、显示面板和显示装置。该发光结构包括第一发光元件；第一发光元件包括第一发光层、第一电子传输层和第一阴极；第一阴极与第一电子传输层接触设置，第一电子传输层的导带底能级大于第一阴极的费米能级，第一电子传输层的导带底能级与第一阴极的费米能级之差的范围在0.3-0.6eV。在该发光结构中，由于第一电子传输层的导带底能级大于第一阴极的费米能级，因此电子从第一阴极到第一电子传输层需要跨越势垒，并且第一电子传输层的导带底能级与第一阴极的费米能级之差的范围在0.3-0.6eV，从而可适当地降低第一发光元件的电子注入效率并与第一发光元件的空穴注入效率相匹配，进而提高第一发光元件的发光效率和稳定性。

本公开至少一个实施例提供一种发光结构，其包括：第一发光元件，包括第一发光层、第一电子传输层和第一阴极，所述第一阴极与所述第一电子传输层接触设置，所述第一电子传输层的导带底能级大于所述第一阴极的费米能级，所述第一电子传输层的导带底能级与所述第一阴极的费米能级之差的范围在0.3-0.6eV。

例如，在本公开一实施例提供的发光结构中，所述第一发光层的材料包括无镉量子点材料，所述第一电子传输层包括ZnMgO纳米粒子，所述第一电子传输层中Mg的摩尔百分比为10％-20％。

例如，在本公开一实施例提供的发光结构中，所述第一发光层的材料包括磷化铟。

例如，在本公开一实施例提供的发光结构中，所述第一电子传输层中Mg的摩尔百分比为13％-16％。

例如，本公开一实施例提供的发光结构还包括：第二发光元件，包括第二发光层、第二电子传输层和第二阴极，所述第二阴极与所述第二电子传输层接触设置，所述第一发光层的导带底能级小于所述第二发光层的导带底能级，所述第一电子传输层的导带底能级大于所述第二电子传输层的导带底能级。

例如，在本公开一实施例提供的发光结构中，电子从所述第一阴极到所述第一电子传输层的势垒大于电子从所述第二阴极到所述第二电子传输层的势垒。

例如，在本公开一实施例提供的发光结构中，所述第一发光层的导带底能级小于所述第一电子传输层的导带底能级，所述第二发光层的导带底能级大于所述第二电子传输层的导带底能级，所述第二阴极的费米能级与所述第二电子传输层的导带底能级大致相等。