[发明专利]半导体装置组合件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置组合件，其包括：

半导体装置，其具有第一侧和第二侧；

衬底；

箔层，其附接到所述衬底的表面；

剥离层，其附接到所述箔层，所述箔层位于所述剥离层和所述衬底的所述表面之间；

粘合剂层，其被配置成将所述半导体装置连接到所述衬底，所述粘合剂层位于所述半导体装置的所述第一侧和所述剥离层之间，其中在向所述箔层施加能量脉冲时，所述箔层被配置成生成热量以使所述剥离层选择性地将所述衬底从所述粘合剂层剥离；以及

金属层，其位于所述剥离层和所述粘合剂层之间。

2.根据权利要求1所述的组合件，其中从所述箔层生成的所述热量分解所述剥离层。

3.根据权利要求2所述的组合件，其中所述能量脉冲在所述箔层中引起放热反应。

4.根据权利要求3所述的组合件，其中所述箔层是由两种材料的交替层构成的多层箔。

5.根据权利要求4所述的组合件，其中所述两种材料是镍和铝、锆和铝、镍和硅、钼和硅、钯和铝、或铑和铝中的一种。

6.根据权利要求1所述的组合件，其中所述箔层被配置成生成1000摄氏度或更高的热量。

7.根据权利要求1所述的组合件，其中所述箔层被配置成产生超过所述剥离层的分解温度的热量。

8.根据权利要求1所述的组合件，其中所述半导体装置包含在所述第一侧上的多个结构，所述多个结构是焊盘、柱、过孔或其组合。

9.根据权利要求1所述的组合件，其中所述剥离层是硅酮、环氧树脂、聚酰亚胺、碳酸酯或其组合中的一种。

10.一种半导体装置组合件，其包括：

半导体装置，其具有第一侧和第二侧；

衬底；

多层箔层，其附接到所述衬底的表面；

粘合剂层，其将所述半导体装置连接到所述衬底，所述粘合剂层位于所述半导体装置的所述第一侧和所述多层箔层之间，其中在向所述多层箔层施加能量脉冲时，所述多层箔层被配置成具有放热反应，其将所述衬底从所述半导体装置剥离；以及

金属层，其位于所述多层箔层和所述粘合剂层之间。

11.根据权利要求10所述的组合件，其中所述能量脉冲是电荷。

12.一种制造半导体装置组合件的方法，其包括：

在衬底的表面上沉积多层箔层；

在所述多层箔层上沉积剥离层，其中所述多层箔层位于所述剥离层和所述衬底的所述表面之间；

将所述剥离层附接到半导体装置的第一表面上的粘合剂层，以将所述衬底连接到所述半导体装置；

处理所述半导体装置的第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对；以及

在将所述剥离层附接到半导体装置的所述第一表面上的所述粘合剂层之前将金属层施加到所述粘合剂层。

13.根据权利要求12所述的方法，向所述多层箔层施加能量脉冲以产生放热反应，所述放热反应分解所述剥离层，从而将所述衬底从所述半导体装置剥离。

14.根据权利要求13所述的方法，其中向所述多层箔层施加所述能量脉冲包括向所述多层箔层施加电荷。

15.根据权利要求13所述的方法，其中向所述多层箔层施加所述能量脉冲包括向所述多层箔层施加激光脉冲。

16.根据权利要求13所述的方法，其包括从所述半导体装置的所述第一表面移除所述粘合剂层。

17.根据权利要求12所述的方法，其中处理包括从所述半导体装置的所述第二表面移除材料。