[发明专利]建模过程中的特征芯片选择方法以及器件模型建立方法在审

专利信息
申请号: 201910344208.8 申请日: 2019-04-26
公开(公告)号: CN111859844A 公开(公告)日: 2020-10-30
发明(设计)人: 钱仕兵 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: G06F30/398 分类号: G06F30/398
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤;董琳
地址: 230001 安徽省合肥市蜀山*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 建模 过程 中的 特征 芯片 选择 方法 以及 器件 模型 建立
【权利要求书】:

1.一种建模过程中的特征芯片选择方法,其特征在于,包括:

提供一建模测量用测试晶圆,所述测试晶圆上形成有多个芯片,每个芯片内形成有若干具有不同特征尺寸的至少一种器件;

选择所述测试晶圆上若干芯片作为测试芯片,获得与多个具有特定特征尺寸的待测器件对应的多个测量值;

选择所述多个测量值中数值位于中间位置或最接近平均值的测量值作为中间测量值;

以所述中间测量值对应的待测器件所在的芯片作为具有该特定特征尺寸的待测器件的特征芯片。

2.根据权利要求1所述的特征芯片选择方法,其特征在于,所述测试芯片的数量占测试晶圆上芯片总数的1/3~2/3。

3.根据权利要求1所述的特征芯片选择方法,其特征在于,所有的所述测试芯片均匀分布于所述测试晶圆上。

4.根据权利要求1所述的特征芯片选择方法,其特征在于,所述测试芯片围绕所述测试晶圆的圆心均匀分布。

5.根据权利要求1所述的特征芯片选择方法,其特征在于,获得所述多个测量值的方法包括:对各个测试芯片上具有特定特征尺寸的待测器件进行测量,获取所述多个测量值。

6.根据权利要求1所述的特征芯片选择方法,其特征在于,获得所述多个测量值的方法包括:对所有测试芯片上,所有器件均进行测量,选择各个芯片上具有特定特征尺寸的待测器件的测量值作为所述多个测试值。

7.根据权利要求5或6所述的特征芯片选择方法,其特征在于,所述测量包括单一电性测试。

8.根据权利要求5或6所述的特征芯片选择方法,其特征在于,所述测量包括至少两种以上电性测试;所述测量值为所有电性测试获得的电性测试值按照一定权重比例相加之和。

9.根据权利要求1所述的特征芯片选择方法,其特征在于,所述特征尺寸包括:沟道长度、沟道宽度、介质层厚度、电极层面积或电阻长度。

10.根据权利要求1所述的特征芯片选择方法,其特征在于,针对不同特征尺寸的待测器件,分别选择特征芯片。

11.根据权利要求1所述的特征芯片选择方法,其特征在于,对于相同特征尺寸的不同待测器件,分别选择特征芯片。

12.一种器件模型建立方法,其特征在于,包括:

采用如权利要求1至11中任一项特征芯片选择方法,选择具有特定特征尺寸的特定器件所对应的特征芯片;

对所述特征芯片上的特定特征尺寸的特定器件的各项参数进行测量,建立具有特定特征尺寸的特定器件的器件模型。

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