[发明专利]一种蓝光无镉量子点及其制备方法、量子点光电器件有效
申请号: | 201910344519.4 | 申请日: | 2019-04-26 |
公开(公告)号: | CN111849483B | 公开(公告)日: | 2022-09-02 |
发明(设计)人: | 乔培胜;谢阳腊;高静 | 申请(专利权)人: | 纳晶科技股份有限公司 |
主分类号: | C09K11/88 | 分类号: | C09K11/88;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L51/50;H01L31/0352;H01L33/04 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 胡拥军;糜婧 |
地址: | 310052 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 蓝光无镉 量子 及其 制备 方法 光电 器件 | ||
本发明公开了一种蓝光无镉量子点及其制备方法、量子点发光器件。该无镉量子点制备方法包括以下步骤:S1将铟前体、第一配体以及溶剂混合,以制得铟‑第一配体溶液,其中,第一配体为碳个数10~18的长链羧酸配体,第一配体的羧酸根与铟前体的铟离子的物质的量之比为(1:2)~(5:2);S2,向铟‑第一配体溶液中加入短链锌盐以及第二配体,以形成阳离子‑混合配体溶液,其中,至少部分短链锌盐与第二配体以配位键键合;S3,向阳离子‑混合配体溶液中加入磷前体,反应后得到含有磷化铟锌量子点的溶液。本发明通过在量子点成核过程中引入短链锌盐,制得尺寸小、缺陷少的InZnP量子点核,Zn元素的引入也优化了量子点的能带结构,从而获得了发光范围在470~490nm的量子点。
技术领域
本发明涉及量子点材料技术领域,尤其涉及一种蓝光无镉量子点及其制备方法、量子点光电器件。
背景技术
量子点是由成百上千个原子形成的半导体纳米晶,由于其量子限域效应,量子点具有独特的光电性质,在新型显示、生物标记、激光等领域有广阔的应用前景。尤其是量子点发光二极管的研究,将蓝光、绿光和红光量子点作为发光层,有望成为显示行业的全新技术路线。在过去的三十年间,CdSe量子点因其高荧光量子效率和窄半峰宽而被广泛研究。然而,有毒重金属Cd的存在会引发重大的环境问题,是其大规模商业化应用的重要障碍。
InP量子点是由环境友好元素所组成的无Cd纳米晶,具有低毒性、更大的内消光系数和激子波尔半径、更宽的发光范围等优点。人们对从绿光发射到近红外发射的InP量子点开展了研究,但对蓝光InP量子点的研究较少。其主要原因是蓝光发射InP尺寸较小,表面能较高,导致其稳定性较差,小于3nm InP核的可控合成及其壳层的外延可控生长难度较大。在现有蓝光InP量子点合成中,InP尺寸分布不均一,表面缺陷较多,导致荧光半峰宽较宽,荧光量子效率偏低。
现有的制备蓝光InP量子点的方法有以下几种:
1、通过氢氟酸、醋酸等对InP进行蚀刻,以减小量子点尺寸,达到蓝光发光范围,并减少表面缺陷,以提高发光亮度;
2、在InP成核中,采用低温反应,抑制InP核的生长,以形成小尺寸InP量子点。
但是,由于本征InP结构自身以共价键结合,成核均一度较差,导致蓝光发射InP的半峰宽较宽,一般在45nm以上。通过蚀刻方法得到的InP量子点的发光性能和稳定性较差,且制备工艺采用强腐蚀化学品,难以工业应用。采用低温合成的InP量子点晶化不完全,难以形成稳定性较强的晶体结构,导致稳定性较差,且后续无法进行高温包覆,发光效率低。
发明内容
为了克服现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种蓝光无镉量子点及其制备方法,以获得效率高、半峰宽窄的蓝光无镉量子点。
根据本发明的一个方面,提供一种蓝光无镉量子点制备方法,包括以下步骤:
S1,将铟前体、第一配体以及溶剂混合,以制得铟-第一配体溶液,其中,上述第一配体为碳个数10~18的长链羧酸配体,上述第一配体的羧酸根与上述铟前体的铟离子的物质的量之比为(1:2)~(5:2);
S2,向上述铟-第一配体溶液中加入短链锌盐以及第二配体,以形成阳离子-混合配体溶液,其中,至少部分上述短链锌盐与上述第二配体以配位键键合;
S3,向上述阳离子-混合配体溶液中加入磷前体,反应后得到含有磷化铟锌量子点的溶液。
进一步地,上述短链锌盐为碳个数不超过5的锌盐,优选地,上述短链锌盐为碳个数1~5的羧酸锌盐。
进一步地,上述短链锌盐的锌离子与上述铟前体的铟离子的物质的量之比为(2:1)~(10:1),优选地,上述短链锌盐的锌离子与上述铟前体的铟离子的物质的量之比为(3:1)~(5:1)。
进一步地,上述第二配体为膦配体或胺配体。
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