[发明专利]一种平面光栅及其制备方法

权利要求书

1.一种制备平面光栅的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S01：在衬底上依次形成金属层和光刻胶；

S02：采用光刻工艺图形化光刻胶，形成光刻胶图形；

S03：以光刻胶图形为掩模，刻蚀金属层的顶部，并保留金属层的底部，形成平面光栅中凸起的金属阵列；

S04：去除光刻胶图形，形成表面含有凸起的金属阵列的平面光栅。

2.根据权利要求1所述的一种制备平面光栅的方法，其特征在于，所述金属层包括底部金属层和顶部金属层，且所述底部金属层和顶部金属层之间形成有刻蚀阻挡层，所述衬底上方依次为底部金属层、刻蚀阻挡层和顶部金属层，且所述顶部金属层和底部金属层为同一种金属。

3.根据权利要求2所述的一种制备平面光栅的方法，其特征在于，所述步骤S03中刻蚀顶部金属层并停止于所述刻蚀阻挡层，形成顶部金属图形；所述步骤S04中去除光刻胶图形之后，去除多余的刻蚀阻挡层，形成与顶部金属图形相同的刻蚀阻挡图形。

4.根据权利要求3所述的一种制备平面光栅的方法，其特征在于，所述衬底和底部金属层之间形成有底部隔离层。

5.根据权利要求3所述的一种制备平面光栅的方法，其特征在于，所述顶部金属层和光刻胶图形之间形成有顶部隔离层，所述步骤S04中去除光刻胶图形之后，去除顶部隔离层。

6.根据权利要求2所述的一种制备平面光栅的方法，其特征在于，所述顶部金属层和底部金属层为金、银、铝中的一种或多种。

7.根据权利要求2所述的一种制备平面光栅的方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层为氮化钽、氮化钛、氮化硅、钛、氮氧化硅、二氧化硅中的一种或多种。

8.根据权利要求2所述的一种制备平面光栅的方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的厚度为10-100nm，所述顶部金属层和底部金属层的厚度为10-500nm。

9.一种平面光栅，其特征在于，包括衬底，以及依次位于衬底上的底部金属层和凸起的金属阵列，所述金属阵列包括图形化的刻蚀阻挡层和顶部金属层，其中，所述刻蚀阻挡层位于所述底部金属层和顶部金属层之间。

10.根据权利要求9所述的一种平面光栅，其特征在于，所述底部金属层和衬底之间还包括底部隔离层。