[发明专利]一种提高石墨烯上表面等离激元耦合强度的结构有效
| 申请号： | 201910344842.1 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN109901254B | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 刘黎明;吴艳花;迟锋;王红航;张小文;易子川;张智 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学中山学院 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00 |
| 代理公司： | 重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙) 50231 | 代理人： | 竺栋 |
| 地址： | 528402 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 石墨 表面 离激元 耦合 强度 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高石墨烯上表面等离激元耦合强度的结构，其特征在于：包括第一金属膜（1）、第一发光层（2）、石墨烯层（3）、第二发光层（4）、第二金属膜（5）构成的多层结构；所述第一金属膜（1）的上方设置有第一发光层（2），所述第一发光层（2）的上方设置有石墨烯层（3），所述石墨烯层（3）为 V 形波浪平面，所述石墨烯层（3）的上方设置有第二发光层（4），所述第二发光层（4）的上方设置有第二金属膜（5）；其中，所述第一金属膜（1）、所述第二金属膜（5）均作为电源正极，所述石墨烯层（3）作为电源负极。
2. 如权利要求 1 所述的一种提高石墨烯上表面等离激元耦合强度的结构，其特征在于：所述第一发光层（2）、第二发光层（4）为量子阱层。
3. 如权利要求 2 所述的一种提高石墨烯上表面等离激元耦合强度的结构，其特征在于：所述量子阱层为 GaAs 或 InGaAs 制成。
4.如权利要求 3 所述的一种提高石墨烯上表面等离激元耦合强度的结构，其特征在于：所述量子阱层的厚度为 50nm～80nm。
5. 如权利要求 1 所述的一种提高石墨烯上表面等离激元耦合强度的结构，其特征在于：所述第一金属膜（1）、第二金属膜（5）均是由金或银或铜制成。
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