[发明专利]制造具有再分布层的半导体封装件的方法在审

申请号：	201910345056.3	申请日：	2019-04-26
公开（公告）号：	CN110858549A	公开（公告）日：	2020-03-03
发明（设计）人：	金一焕;姜芸炳;李忠善	申请（专利权）人：	三星电子株式会社
主分类号：	H01L21/60	分类号：	H01L21/60;H01L21/56
代理公司：	北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112	代理人：	赵南;张青
地址：	韩国***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	制造具有再分半导体封装方法
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【说明书】：

一种制造半导体封装件的方法包括：在硅衬底的第一表面处形成多个沟槽；在所述多个沟槽中的每一个内形成导电焊盘；在硅衬底的第一表面上形成再分布层；在再分布层的第一表面上形成外部连接端子；去除硅衬底以暴露每个导电焊盘；安装半导体芯片以使其连接至导电焊盘；以及形成密封件以覆盖半导体芯片的至少一个表面。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年8月24日提交至韩国知识产权局(KIPO)的韩国专利申请No.10-2018-0099284的优先权，该申请的公开内容以引用方式全文合并于此。

技术领域

符合示例实施例的方法涉及制造具有再分布层的半导体封装件的方法。

背景技术

为了减小电子器件的尺寸和重量，在半导体封装件技术中已尝试了硅通孔(TSV)技术或再分布层技术。由于TSV和再分布层的制造还涉及粘附和去除载片(carrier)，因此有助于简化制造半导体封装件的工艺。

发明内容

本发明构思的示例实施例旨在提供一种使用简化的制造工艺制造半导体封装件的方法。

根据示例实施例，一种制造半导体封装件的方法包括：在硅衬底的第一表面处形成多个沟槽；在所述多个沟槽中的每一个内形成导电焊盘；在硅衬底的第一表面上形成再分布层；在再分布层的第一表面上形成外部连接端子；去除硅衬底以暴露每个导电焊盘；安装半导体芯片以使其连接至导电焊盘；以及形成密封件以覆盖半导体芯片的至少一个表面。

根据可包括上述实施例的示例实施例，一种制造半导体封装件的方法包括：在硅衬底的第一表面处形成多个第一沟槽和多个第二沟槽，其中所述多个第二沟槽形成为具有比所述第一沟槽的深度更大的深度；在所述多个第一沟槽中的每一个内形成第一导电焊盘，并且在所述多个第二沟槽中的每一个内形成第二导电焊盘；在硅衬底的第一表面上形成再分布层；在再分布层的第一表面上形成外部连接端子；去除硅衬底以暴露每个第一导电焊盘和每个第二导电焊盘；安装第一半导体芯片以使其连接至第一导电焊盘；以及形成密封件以包围第一半导体芯片的至少一个表面。

根据可包括上述实施例的示例实施例，一种制造半导体封装件的方法包括：在硅衬底的第一表面处形成多个沟槽；在所述多个沟槽中的每一个内形成导电焊盘；在硅衬底的第一表面上以再分布层的形式形成封装件衬底，该封装件衬底在所述封装件衬底的第一表面处连接至导电焊盘；在封装件衬底的与该封装件衬底的第一表面相对的第二表面上形成外部连接端子；去除硅衬底以暴露导电焊盘；安装半导体芯片以使其连接至导电焊盘；以及形成密封件以包围半导体芯片的至少一个表面。

附图说明

图1是根据本发明构思的示例实施例的制造半导体封装件的方法的流程图。

图2至图11是顺序示出根据示例实施例的制造半导体封装件的方法的各个操作的剖面图。

图12是根据本发明构思的示例实施例的半导体封装件的剖面图。

图13和图14是示出根据本发明构思的示例实施例的导电焊盘的剖面图。

图15A和图15B是根据本发明构思的示例实施例的半导体封装件的局部放大图。

图16是示出根据本发明构思的示例实施例的半导体封装件的沟槽的剖面图。

图17是根据本发明构思的示例实施例的半导体封装件的剖面图。

图18是示出根据本发明构思的示例实施例的半导体封装件的沟槽的剖面图。

图19是根据本发明构思的示例实施例的半导体封装件的剖面图。

图20是示出根据本发明构思的示例实施例的半导体封装件的沟槽的剖面图。

图21是示出根据本发明构思的示例实施例的导电焊盘的剖面图。