[发明专利]一种太阳能电池及其缓冲层和制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池缓冲层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将沉积有背面电极层和光吸收层的基板依次经过第一靶材组件和第二靶材组件，采用磁控溅射工艺在光吸收层上依次形成硒化铟层和硫化铟层；

所述第一靶材组件包括交替设置的钠源和硒化铟源，所述第二靶材组件包括交替设置的钠源和硫化铟源。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池缓冲层的制备方法，其特征在于，第一靶材组件中所述钠源和所述硒化铟源的数量均至少为一个，第二靶材组件中所述钠源和所述硫化铟源的数量均至少为一个。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池缓冲层的制备方法，其特征在于，所述第一靶材组件中钠源和硒化铟源的数量均为两个，所述第二靶材组件中钠源和硫化铟源的数量均为两个。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池缓冲层的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

步骤1：将钠源和硒化铟源置于成膜区，调节钠源和硒化铟源对应的磁场强度，将沉积有背面电极层和光吸收层的基板传送经过第一靶材组件，得到硒化铟层；

步骤2：将钠源和硫化铟源置于成膜区，调节钠源和硫化铟源对应的磁场强度，将沉积有背面电极层、光吸收层和硒化铟层的基板传送经过第二靶材组件，得到硫化铟层。

5.根据权利要求1-4任一项所述的太阳能电池缓冲层的制备方法，其特征在于，制备得到的太阳能电池缓冲层包括硒化铟层和硫化铟层，

所述硒化铟层位于靠近光吸收层的一侧，所述硫化铟层和所述硒化铟层均含有钠。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池缓冲层的制备方法，其特征在于，所述硫化铟层和所述硒化铟层均至少包括一层。

7.根据权利要求5所述的太阳能电池缓冲层的制备方法，其特征在于，所述钠以Na₂S或Na₂Se的形式存在。

8.根据权利要求5所述的太阳能电池缓冲层的制备方法，其特征在于，所述硫化铟层的层数为2-8层，所述硒化铟层的层数为1-2层。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池缓冲层的制备方法，其特征在于，所述硫化铟层的层数为2层，所述硒化铟层的层数为2层。

10.一种薄膜太阳能电池，其特征在于，包括依次层叠的基板、背面电极层、光吸收层、缓冲层和表面电极层；所述缓冲层为使用权利要求1-9任一项所述的制备方法制备得到的缓冲层。