[发明专利]一种晶硅太阳能电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910345925.2 申请日: 2019-04-26
公开(公告)号: CN110061073A 公开(公告)日: 2019-07-26
发明(设计)人: 黎微明;李翔;布莱姆·豪克斯 申请(专利权)人: 江苏微导纳米装备科技有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/18
代理公司: 南京知识律师事务所 32207 代理人: 万婧
地址: 214028 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 电池片表面 电池 硅太阳能电池 阻隔膜 种晶 制备 针孔 致密 阻挡 光电转换效率 扩散阻挡层 成品电池 电极氧化 光伏电池 离子扩散 阻挡层 镀膜 钝化 优选 薄膜 离子 面包 老化 迁移 外部
【权利要求书】:

1.一种晶硅太阳能电池,其特征在于,在电池片表面设置有阻隔膜。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述阻隔膜的材料为绝缘材料或者导电薄膜材料中的一种。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述绝缘材料包括Al2O3或SiO2或ZnO或TiO2或Ta2O5或Alucone中的一种或多种。

4.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述导电薄膜材料包括透明导电氧化物。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池,其特征在于,所述透明导电氧化物为ITO或GZO或AZO中的一种。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,在电池片电极的正面设置有阻隔膜,或者在电池片电极的背面设置有阻隔膜,或者在电池片电极的正面和反面都设置有阻隔膜。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述阻隔膜通过ALD或者PEALD或者PECVD或者PVD得到。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池,其特征在于,所述阻隔膜通过ALD或者PEALD得到。

9.根据权利要求7所述的太阳能电池,其特征在于,所述阻隔膜厚度为1nm-10μm。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池,其特征在于,所述阻隔膜厚度为5-50nm。

11.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述晶硅太阳能电池为BSF电池或PERC电池或PERT电池或PERL电池或MWT电池或CIGS薄膜电池或钙钛矿薄膜电池或薄膜/晶硅叠层电池。

12.一种根据权利要求1-11任一的晶硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,在电池片表面镀阻隔膜。

13.根据权利要求12所述的制备方法,其特征在于,所述镀膜方法为ALD或者PEALD或者PECVD或者PVD。

14.根据权利要求13所述的制备方法,其特征在于,所述镀膜方法为ALD或者PEALD。

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