[发明专利]一种晶硅太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201910345925.2 | 申请日: | 2019-04-26 |
公开(公告)号: | CN110061073A | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 黎微明;李翔;布莱姆·豪克斯 | 申请(专利权)人: | 江苏微导纳米装备科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 万婧 |
地址: | 214028 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电池片表面 电池 硅太阳能电池 阻隔膜 种晶 制备 针孔 致密 阻挡 光电转换效率 扩散阻挡层 成品电池 电极氧化 光伏电池 离子扩散 阻挡层 镀膜 钝化 优选 薄膜 离子 面包 老化 迁移 外部 | ||
1.一种晶硅太阳能电池,其特征在于,在电池片表面设置有阻隔膜。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述阻隔膜的材料为绝缘材料或者导电薄膜材料中的一种。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述绝缘材料包括Al2O3或SiO2或ZnO或TiO2或Ta2O5或Alucone中的一种或多种。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述导电薄膜材料包括透明导电氧化物。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池,其特征在于,所述透明导电氧化物为ITO或GZO或AZO中的一种。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,在电池片电极的正面设置有阻隔膜,或者在电池片电极的背面设置有阻隔膜,或者在电池片电极的正面和反面都设置有阻隔膜。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述阻隔膜通过ALD或者PEALD或者PECVD或者PVD得到。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池,其特征在于,所述阻隔膜通过ALD或者PEALD得到。
9.根据权利要求7所述的太阳能电池,其特征在于,所述阻隔膜厚度为1nm-10μm。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池,其特征在于,所述阻隔膜厚度为5-50nm。
11.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述晶硅太阳能电池为BSF电池或PERC电池或PERT电池或PERL电池或MWT电池或CIGS薄膜电池或钙钛矿薄膜电池或薄膜/晶硅叠层电池。
12.一种根据权利要求1-11任一的晶硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,在电池片表面镀阻隔膜。
13.根据权利要求12所述的制备方法,其特征在于,所述镀膜方法为ALD或者PEALD或者PECVD或者PVD。
14.根据权利要求13所述的制备方法,其特征在于,所述镀膜方法为ALD或者PEALD。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的