[发明专利]沉积SiN膜的方法在审
| 申请号： | 201910346317.3 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110408909A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 马克·卡拉瑟斯 | 申请（专利权）人： | SPTS科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/455;C23C16/50;C23C16/52;H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李雪;姚开丽 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 柔性基板 膜沉积 沉积 等离子体增强化学气相沉积 基板 引入 | ||
1.一种将SiN膜沉积到柔性基板上的方法，所述方法包括以下步骤：
提供所述柔性基板；和
在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺中使用SiH4、N2和H2将SiN膜沉积到所述柔性基板上，其中所述基板的温度为200℃或更低，并且SiH4以大于100sccm的流速引入到所述PECVD工艺中。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述柔性基板包括OLED。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述柔性基板为有源矩阵(AMOLED)器件。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述柔性基板为柔性太阳能电池。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中，SiH4以大于200sccm的流速引入到所述PECVD工艺中。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，SiH4以在270sccm-370sccm范围内的流速引入到所述PECVD工艺中。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，SiH4以在290sccm-320sccm范围内的流速引入到所述PECVD工艺中。
8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，H2以在300sccm-400sccm范围内的流速引入到所述PECVD工艺中。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，H2以在350sccm-370sccm范围内的流速引入到所述PECVD工艺中。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，N2以大于2000sccm的流速引入到所述PECVD工艺中。
11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，N2以在3500sccm-4750sccm范围内的流速引入到所述PECVD工艺中。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，N2以在4100sccm-4400sccm范围内的流速引入到所述PECVD工艺中。
13.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述柔性基板的温度为150℃或更低。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述柔性基板的温度在90℃-120℃范围内。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述柔性基板的温度在95℃-105℃范围内。
16.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述PECVD工艺在气体混合物中进行，所述气体混合物由SiH4、N2和H2组成。
17.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述PECVD工艺在气体混合物中进行，所述气体混合物包括SiH4、N2和H2。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述气体混合物还包括至少一种稀释气体。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述稀释气体为惰性气体。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
