[发明专利]输出驱动器、以及具有其的半导体存储器设备和存储器系统在审
申请号: | 201910348611.8 | 申请日: | 2019-04-28 |
公开(公告)号: | CN110808074A | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | 孙永训;崔桢焕;玄锡勋 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输出 驱动器 以及 具有 半导体 存储器 设备 系统 | ||
1.一种输出驱动器,包括:
预驱动器,被配置为接收驱动器控制代码以在执行读取操作的同时响应于数据而生成上拉控制信号或下拉控制信号;
片上终止控制器,被配置为接收第一片上终止控制代码以在执行写入操作的同时响应于片上终止使能信号而生成第一片上终止控制信号;和
主驱动器,包括上拉n沟道金属氧化物半导体(NMOS)驱动器和下拉NMOS驱动器,
其中,上拉NMOS驱动器被配置为在执行读取操作的同时响应于上拉控制信号而生成高电平输出数据,
其中,上拉NMOS驱动器进一步配置为在执行写入操作的同时响应于第一片上终止控制信号而利用低于或等于输出电源电压的第一高电压来终止高电平输入数据,并且利用第一高电压与接地电压之间的第一低电压来终止低电平输入数据,并且
其中,下拉NMOS驱动器被配置为在执行读取操作的同时响应于下拉控制信号而生成低电平输出数据。
2.如权利要求1所述的输出驱动器,其中,施加到上拉NMOS驱动器的输出电源电压低于或等于施加到预驱动器的内部电源电压。
3.如权利要求2所述的输出驱动器,其中:
上拉NMOS驱动器包括输出电源电压与数据端子之间并联连接的预定数量的第一NMOS晶体管,其中,第一NMOS晶体管中的每一个NMOS晶体管响应于上拉控制信号或第一片上终止控制信号而导通或截止,并且
下拉NMOS驱动器包括数据端子与接地电压之间并联连接的预定数量的第二NMOS晶体管,其中,第二NMOS晶体管中的每一个NMOS晶体管响应于下拉控制信号而导通或截止。
4.如权利要求3所述的输出驱动器,其中:
片上终止控制器响应于非目标写入命令或非目标读取命令而被使能,并且接收第二片上终止控制代码以响应于所述片上终止使能信号生成第二片上终止控制信号,并且
第二NMOS晶体管响应于所述第二片上终止控制信号而导通或截止,并且利用接地电压来终止低电平输入数据并且利用第一高电压与接地电压之间的第二高电压来终止高电平输入数据。
5.如权利要求4所述的输出驱动器,其中:
输出驱动器进一步包括:上拉片上终止电阻器,被配置为响应于第一片上终止控制信号而利用第一高电压来终止高电平输入数据并且利用第一低电压来终止低电平输入数据,并且
上拉NMOS驱动器不响应于第一片上终止控制信号。
6.如权利要求4所述的输出驱动器,其中:
输出驱动器进一步包括:下拉片上终止电阻器,被配置为响应于第二片上终止控制信号而利用接地电压来终止低电平输入数据并且利用第二高电压来终止高电平输入数据,并且
下拉NMOS驱动器不响应于第二片上终止控制信号。
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