[发明专利]发光器件及其制备方法和显示装置

权利要求书

1.一种发光器件，其特征在于，包括基板、第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光结构，所述发光结构包括层叠设置的空穴传输层、偶极层和量子点发光层；所述空穴传输层的材料包括纳米氧化镍和p型掺杂纳米氧化镍中的至少一种，所述偶极层的材料包括混合的羟基氧化镍和聚合物，所述聚合物的带隙大于3.2eV，所述聚合物选自亲水性聚合物和两性聚合物中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述p型掺杂纳米氧化镍的掺杂浓度为0.5wt％～20wt％。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述聚合物选自聚丙烯酰胺或聚乙烯吡咯烷酮。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述聚合物与所述羟基氧化镍的质量比为1:(0.01～0.1)。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述偶极层是经过紫外臭氧处理的。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述偶极层的厚度为0.5nm～7nm。

7.根据权利要求1～6任一项所述的发光器件，其特征在于，所述量子点发光层的材料选自II-VI族化合物半导体纳米材料、III-V族化合物半导体纳米材料、I-III-VI族化合物半导体纳米材料、IV族单质半导体纳米材料和钙钛矿量子点中的一种。

8.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供基板；

于所述基板上形成第一电极；

于所述第一电极上形成发光结构，所述发光结构包括层叠设置的空穴传输层、偶极层和量子点发光层；所述空穴传输层的材料包括纳米氧化镍和p 型掺杂纳米氧化镍中的至少一种，所述偶极层的材料包括羟基氧化镍；

于所述发光结构上形成第二电极，得到所述发光器件；

所述制备方法还包括对所述羟基氧化镍进行钝化处理的步骤，所述钝化处理为将所述羟基氧化镍与聚合物混合，所述聚合物的带隙大于3.2eV，所述聚合物选自亲水性聚合物和两性聚合物中的至少一种。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述p型掺杂纳米氧化镍的掺杂浓度为0.5wt％～20wt％。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述p型掺杂纳米氧化镍的掺杂剂选自Cu、Co、Cs、Li或Ag。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括对所述偶极层进行紫外臭氧处理的步骤。

12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～7任一项所述的发光器件或采用权利要求8～11任一项所述的制备方法制作得到的发光器件。