[发明专利]基板处理装置和方法在审
申请号: | 201910348696.X | 申请日: | 2019-04-28 |
公开(公告)号: | CN110416120A | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 李相旼;朴舟楫;金鹏;李钟斗 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 杨黎峰;钟锦舜 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理空间 闭合位置 闭合步骤 处理基板 位置变化 致动器 腔室 移动 基板处理装置 基板支撑单元 气体供应单元 控制器控制 控制致动器 发明构思 高压气氛 气体供应 控制器 中支撑 外部 基板 敞开 | ||
1.一种基板处理装置,所述装置包括:
腔室,所述腔室具有第一主体和第二主体,所述第一主体和所述第二主体彼此结合以在内部形成处理空间;
致动器,所述致动器被构造成移动所述第一主体和所述第二主体之间的相对位置,以能够在闭合位置与打开位置之间进行位置变化,其中在所述闭合位置,所述处理空间与外部隔绝,并且在所述打开位置,所述处理空间向所述外部敞开;
基板支撑单元,所述基板支撑单元被构造成在所述处理空间中支撑所述基板;
气体供应单元,所述气体供应单元被构造成将气体供应到所述处理空间中以处理所述基板;和
控制器,所述控制器被构造成控制所述致动器,
其中所述控制器控制所述致动器以在发生从所述打开位置到所述闭合位置的位置变化时顺序地执行:以第一速度移动所述第一主体或所述第二主体的高速闭合步骤,和以低于所述第一速度的第二速度移动所述第一主体或所述第二主体的低速闭合步骤。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述控制器控制所述致动器以在发生从所述闭合位置到所述打开位置的位置变化时顺序地执行:以第三速度移动所述第一主体或所述第二主体的低速打开步骤和以高于所述第三速度的第四速度移动所述第一主体或所述第二主体的高速打开步骤。
3.根据权利要求2所述的装置,其中,所述装置还包括:
夹紧构件,所述夹紧构件被构造成在所述闭合位置将所述腔室夹紧;和
可移动构件,所述可移动构件被构造成将所述夹紧构件移动至夹紧位置或松开位置,其中在所述夹紧位置,所述夹紧构件夹紧所述第一主体和所述第二主体,在所述松开位置,所述夹紧构件与所述第一主体及所述第二主体分离,并且
其中所述控制器控制所述气体供应单元和所述可移动构件以执行:将所述夹紧构件移动至所述夹紧位置的夹紧步骤、在所述腔室处于所述闭合位置的情况下通过将所述气体供应到所述处理空间中来处理所述基板的处理步骤、以及在所述低速闭合步骤和所述低速打开步骤之间将所述夹紧构件移动至所述松开位置的松开步骤。
4.根据权利要求3所述的装置,其中在所述处理步骤中,所述控制器控制所述致动器以施加第一压力以使所述第一主体和所述第二主体朝向彼此移动,并控制所述气体供应单元以通过供应到所述处理空间中的所述气体施加第二压力,并且
其中所述第二压力高于所述第一压力。
5.根据权利要求4所述的装置,其中,所述装置还包括排气单元,所述排气单元被构造成释放所述处理空间中的气氛,并且
其中,在所述处理步骤中在将所述处理空间加压到所述第二压力之后,所述控制器控制所述排气单元以使所述处理空间中的压力低于所述第一压力。
6.根据权利要求4或5所述的装置,其中所述第二压力高于所述气体的临界压力。
7.一种基板处理方法,所述方法包括:
高速闭合步骤,其中以第一速度使第一主体和第二主体朝向彼此移动;
低速闭合步骤,其中以低于所述第一速度的第二速度移动所述第一主体和所述第二主体,以使所述第一主体和所述第二主体彼此紧密接触;和
处理步骤,其中在所述第一主体和所述第二主体结合在一起以在内部形成的处理空间中用气体处理所述基板。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述方法还包括:
低速打开步骤,其中在所述处理步骤之后以第三速度使所述第一主体和所述第二主体彼此远离地移动;和
高速打开步骤,其中以高于所述第三速度的第四速度使所述第一主体和所述第二主体彼此远离地移动。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述方法还包括:
夹紧步骤,其中在所述低速闭合步骤和所述加工步骤之间通过夹紧构件夹紧彼此紧密接触的所述第一主体和所述第二主体;和
松开步骤,其中在所述处理步骤和所述低速打开步骤之间释放所述夹紧。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于细美事有限公司,未经细美事有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910348696.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:处理液供给装置和处理液供给方法
- 下一篇:用于处理基板的装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造