[发明专利]发光二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201910348846.7 | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110021689A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 吴永胜;林新;林昌江 | 申请（专利权）人： | 福建兆元光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊;陈明鑫 |
| 地址： | 350109 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 活性层 发光二极管 台阶结构 侧壁 曲率 透明导电层 电气连接 基板 曲面形状 全反射 凸出的 外部光 减小 制造 释放 覆盖 | ||
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
一基板；
一在所述基板上形成的n型半导体层；
一在所述n型半导体层的部分区域上形成的活性层；
一在所述活性层上形成的p型半导体层；
一在所述p型半导体层上形成的透明导电层；
一p型电极，其在所述透明导电层上形成，与所述p型半导体层电气连接；
一n型电极，其在所述n型半导体层上形成，与所述n型半导体层电气连接；
一在所述n型半导体层上凸出的台阶结构，以覆盖住所述n型半导体层上与所述活性层对应的部分区域、所述活性层及所述p型半导体层；所述台阶结构的侧壁是具有曲率的曲面。
2.根据权利要求1的发光二极管，其特征在于，所述台阶结构的侧壁是沿四分圆的弧形成的曲面。
3.根据权利要求1的发光二极管，其特征在于，所述基板是形成有凸凹图案的蓝宝石基板。
4.根据权利要求1的发光二极管，其特征在于，还包括在所述p型半导体层与所述透明导电层之间的部分区域形成的电流阻挡层；所述p型电极位于与所述电流阻挡层对应的所述透明导电层上的部分区域上。
5.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、在基板上形成n型半导体层；
步骤S2、在所述n型半导体层的部分区域上形成活性层；
步骤S3、在所述活性层上形成p型半导体层；
步骤S4、依次蚀刻所述p型半导体层、所述活性层及所述n型半导体层上的部分区域而形成具有曲面的侧壁的台阶结构；
步骤S5、在所述p型半导体层上形成透明导电层；
步骤S6、在所述透明导电层上形成与所述p型半导体层电气连接的p型电极；及在所述n型半导体的露出的部分区域上形成n型电极。
6.根据权利要求5所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述步骤S4具体实现方式为：将所述台阶结构的侧壁沿四分圆的弧进行蚀刻而形成曲面。
7.根据权利要求5所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，在步骤S3与步骤S5之间，还包括一步骤，即在所述p型半导体层的一部分区域上形成电流阻挡层。
8.根据权利要求7所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述p型电极在形成于与所述电流阻挡层对应的所述透明导电层上的部分区域上。
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