[发明专利]一种管廊浅埋暗挖标高控制的方法在审
申请号: | 201910349117.3 | 申请日: | 2019-04-28 |
公开(公告)号: | CN110106911A | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 陈胜;鲁照香;田申;周鑫 | 申请(专利权)人: | 中国十七冶集团有限公司 |
主分类号: | E02D29/00 | 分类号: | E02D29/00;E02D33/00;G01C15/00 |
代理公司: | 北京华智则铭知识产权代理有限公司 11573 | 代理人: | 王昌贵 |
地址: | 243061 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 浅埋暗挖 标高 标高控制 种管 激光水平仪 基座平台 布设 管廊 测量 中心线位置 地下城市 定位放线 工作效率 施工技术 综合管廊 激光柱 对管 射出 工作量 开挖 保证 | ||
本发明公开了一种管廊浅埋暗挖标高控制的方法,涉及地下城市综合管廊施工技术,所提供的一种管廊浅埋暗挖标高控制的方法,包括以下步骤:(1)对管廊进行定位放线,确定管廊位置和标高;(2)沿管廊的洞身顶部的中心线位置,布设基座平台;(3)安装激光水平仪;(4)洞身开挖时标高测设。采用本发明通过在基座平台上布设激光水平仪射出的激光柱标高,在浅埋暗挖过程中减少测量的频率,并且更好的控制标高,大大减少测量人员的工作量,提高浅埋暗挖的工作效率,保证工期与质量的要求。
技术领域
本发明涉及地下城市综合管廊施工技术领域,尤其是涉及一种管廊浅埋暗挖标高控制的方法。
背景技术
我国地下综合管廊在近几年取得了迅猛发展,地下综合管廊的重要性已逐渐得到越来越多城市的认可,地下综合管廊已成为城市的不可缺少的配套市政设施,地下综合管廊通常建在地下8m左右,开挖过程中可能会遇见地下暗河等,这时候就需要利用浅埋暗挖法施工。
传统的浅埋暗挖标高控制方法一般采用以下方法:采用水准仪在浅埋暗挖施工过程中对开挖的标高多次进行测量,并且在测量过程中调整开挖面,在施工过程中必须经常进行测量,否则无法准确的控制开挖过程中的标高。但是上述的方法在使用过程中需要多次引测,累计误差会因为引测次数过多而积累,且无法准确复测。因此,急需提出一种管廊浅埋暗挖标高控制的方法,以提高测量工作的精度,降低技术人员劳动量,达到降低成本,提高质量的目的。
发明内容
本发明的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种管廊浅埋暗挖标高控制的方法,在浅埋暗挖过程中减少测量的频率,并且更好的控制标高,大大减少测量人员的工作量,提高浅埋暗挖的工作效率。
为了实现上述目的,本发明采取的技术方案为:所提供的一种管廊浅埋暗挖标高控制的方法,包括以下步骤:
(1)对管廊进行定位放线,确定管廊位置和标高
先根据建设方或相关部门提供的工程建设控制点,建立GPS定位仪的控制网,作为GPS定位的基准;再根据管廊平面布置图的坐标,定位出管廊基槽土方开挖中心线和管廊的标高;最后依靠中心线位置,进行洞门开挖和支护;
(2)沿管廊的洞身顶部的中心线位置,布设基座平台
待管廊洞门开挖完成后,在洞身顶部的中心线位置处布设一个基座平台,且与洞门顶部的钢格栅焊接牢固;
(3)安装激光水平仪
将激光水平仪固定在基座平台上,并进行找平;
(4)洞身开挖时标高测设
准备工作完毕后,开始基槽开挖工作,使用水准仪测出激光水平仪在水平方向射出的激光柱标高;在进行洞身土方开挖时,利用钢卷尺控制开挖高度。
优先的,所述步骤(2)中进一步包括:所述基座平台由厚10~20mm的钢板制作而成。
优选的,所述步骤(4)中进一步包括:所述激光柱标高的位置位于管廊洞身顶部标高下300~500mm处。
优选的,所述步骤(4)中进一步包括:所述洞身开挖的高度位于所述激光柱上方的300~500mm。
优选的,所述步骤(4)中基槽开挖时,基槽深度利用水准仪配合塔尺、测绳进行控制,基坑坡度在开挖时应进行大致计算,避免超挖。
与现有技术相比,本发明的优点是:通过在基座平台上布设激光水平仪射出的激光柱标高,在开挖过程中只需要定期对开挖的标高进行复核即可,规避了现有技术中水准仪一直架设在现场跟班测量的现象;开挖过程中工人利用小钢卷尺就可以方便的控制标高,避免出现超挖欠挖,大大节省了测量的工作量,提高现场开挖工人的工作速度,提升了开挖的整体效率。
附图说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国十七冶集团有限公司,未经中国十七冶集团有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910349117.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。