[发明专利]芯片的制造方法在审
申请号: | 201910349136.6 | 申请日: | 2019-04-28 |
公开(公告)号: | CN110491784A | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
发明(设计)人: | 淀良彰;赵金艳 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/782;B23K26/38 |
代理公司: | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 乔婉;于靖帅<国际申请>=<国际公布>= |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 被加工物 芯片 芯片区域 分割 激光加工步骤 分割预定线 改质层 激光束 透过性 波长 制造 外周剩余区域 边界照射 对板 赋予 加热 冷却 照射 | ||
提供芯片的制造方法,不使用扩展片而能够对板状的被加工物进行分割而制造出多个芯片。该芯片的制造方法包含如下的步骤:第1激光加工步骤,沿着分割预定线仅对芯片区域照射对于被加工物具有透过性的波长的激光束,形成沿着芯片区域的分割预定线的第1改质层;第2激光加工步骤,沿着芯片区域与外周剩余区域的边界照射对于被加工物具有透过性的波长的激光束,形成沿着该边界的第2改质层;以及分割步骤,对被加工物赋予力而将被加工物分割成各个芯片,在分割步骤中,通过一次的冷却或加热来赋予力而将被加工物分割成各个芯片。
技术领域
本发明涉及芯片的制造方法,对板状的被加工物进行分割而制造出多个芯片。
背景技术
为了将以晶片为代表的板状的被加工物(工件)分割成多个芯片,公知有如下的方法:使具有透过性的激光束会聚在被加工物的内部,形成因多光子吸收而被改质的改质层(改质区域)(例如参照专利文献1)。改质层比其他区域脆,因此通过在沿着分割预定线(间隔道)形成改质层之后对被加工物施加力,从而能够以该改质层为起点将被加工物分割成多个芯片。
在对形成有改质层的被加工物施加力时,例如采用将具有伸展性的扩展片(扩展带)粘贴在被加工物上并进行扩展的方法(例如参照专利文献2)。在该方法中,通常在照射激光束而在被加工物中形成改质层之前,将扩展片粘贴在被加工物上,然后在形成改质层之后对扩展片进行扩展而将被加工物分割成多个芯片。
专利文献1:日本特开2002-192370号公报
专利文献2:日本特开2010-206136号公报
但是,在上述那样的对扩展片进行扩展的方法中,使用后的扩展片无法再次使用,因此制造芯片所需的费用也容易增高。特别是作为粘接材料不容易残留在芯片上的高性能的扩展片,其价格也高,因此当使用这样的扩展片时,制造芯片所需的费用也增高。
发明内容
本发明是鉴于该问题点而完成的,其目的在于提供芯片的制造方法,不使用扩展片而能够对板状的被加工物进行分割而制造出多个芯片。
根据本发明的一个方式,提供芯片的制造方法,从具有芯片区域和围绕该芯片区域的外周剩余区域的被加工物制造出多个芯片,所述芯片区域由交叉的多条分割预定线划分成将要成为该芯片的多个区域,该芯片的制造方法的特征在于,具有如下的步骤:保持步骤,利用保持工作台直接对被加工物进行保持;第1激光加工步骤,在实施了该保持步骤之后,按照将对于被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于该保持工作台所保持的被加工物的内部的方式沿着该分割预定线仅对被加工物的该芯片区域照射该激光束,沿着该芯片区域的该分割预定线形成第1改质层,并且将该外周剩余区域作为未形成该第1改质层的加强部;第2激光加工步骤,在实施了该保持步骤之后,按照将对于被加工物具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于该保持工作台所保持的被加工物的内部的方式沿着该芯片区域与该外周剩余区域的边界照射该激光束,沿着该边界形成第2改质层;搬出步骤,在实施了该第1激光加工步骤和该第2激光加工步骤之后,将被加工物从该保持工作台搬出;以及分割步骤,在实施了该搬出步骤之后,对被加工物赋予力而将被加工物分割成各个该芯片,在该分割步骤中,通过一次的冷却或加热来赋予该力而将被加工物分割成各个该芯片。
在本发明的一个方式中,可以还具有如下的加强部去除步骤:在实施了该第1激光加工步骤和该第2激光加工步骤之后并且在实施该分割步骤之前,将该加强部去除。另外,在本发明的一个方式中,也可以是,该保持工作台的上表面由柔软的材料构成,在该保持步骤中,利用该柔软的材料对被加工物的正面侧进行保持。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造