[发明专利]用于真空处理设备的密封装置和真空处理设备

说明书

一种用于真空处理设备的密封装置和真空处理设备，其中，用于真空处理设备的密封装置包括：第一部件，所述第一部件包括第一面，所述第一面上具有第一陶瓷层；第二部件，所述第二部件包括第二面，所述第二面与第一面相对；位于所述第一陶瓷层表面的第一聚合物密封涂层；位于所述第一部件与第二部件之间的密封部件，所述密封部件与第一聚合物密封涂层和第二陶瓷层接触。所述密封装置具有低漏率和高抗腐蚀性的特点。

技术领域

本发明涉及半导体刻蚀领域中的阳极氧化层结构设计，具体涉及一种用于真空处理设备的密封装置和真空处理设备。

背景技术

半导体器件的生产过程中需要在各种各样的半导体生产设备中完成，其中，半导体生产设备包括真空处理设备，所述真空处理设备是指在真空或者减压状态下处理半导体基片的处理设备。对于所述真空处理设备来说，气密性至关重要，因此，对真空处理设备中的密封装置的气密性要求较高。

然而，现有用于真空处理设备的密封装置的性能较差。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种用于真空处理设备的密封装置和真空处理设备，以提高用于真空处理设备的密封装置的性能。

为解决上述技术问题，本发明提供一种用于真空处理设备的密封装置，包括：第一部件，所述第一部件包括第一面，所述第一面上具有第一陶瓷层；第二部件，所述第二部件包括第二面，所述第二面与第一面相对；位于所述第一陶瓷层表面的第一聚合物密封涂层；位于所述第一部件与第二部件之间的密封部件，所述密封部件与第一聚合物密封涂层和第二部件接触。

可选的，还包括：位于所述第二面上的第二陶瓷层；位于所述第二陶瓷层表面的第二聚合物密封涂层，所述密封部件与第一聚合物密封涂层和第二聚合物密封涂层接触。

可选的，所述真空处理设备包括：由反应腔侧壁围成的真空反应腔，所述反应腔侧壁包括承载面；环形内衬，所述环形内衬包括侧壁保护环及将所述侧壁保护环固定在所述反应腔侧壁的承载环，所述承载面用于承载所述承载环；位于所述真空反应腔上的顶盖。

可选的，所述第一部件为反应腔侧壁、承载环和顶盖中的一个，所述第二部件为反应腔侧壁、承载环和顶盖中的一个，且所述第一部件与所述第二部件相对设置。

可选的，所述真空处理设备包括：背板，所述背板具有贯穿背板的进气口；气体分布板，所述气体分布板与背板相对设置，所述气体分布板内具有贯穿气体分布板的出气口；所述第一部件为背板，所述第二部件为气体分布板，所述密封部件位于背板与气体分布之间。

可选的，所述第一陶瓷层和第二陶瓷层均为阳极氧化层。

可选的，所述第一部件和第二部件的材料均包括铝；所述阳极氧化层的材料包括：三氧化二铝。

可选的，所述第一聚合物密封涂层的材料包括：聚四氟乙烯或者聚酰亚胺；所述第二聚合物密封涂层的材料包括：聚四氟乙烯或者聚酰亚胺。

可选的，所述第一部件内还包括凹槽，所述密封部件位于所述凹槽内。

可选的，所述密封部件包括：丁腈橡胶密封圈、氢化丁腈橡胶密封圈、硅橡胶密封圈或者氟硅橡胶密封圈。

可选的，所述第一部件包括第一区和位于第一区周围的第二区，所述第一区的第一聚合物密封涂层与密封部件接触；所述第一区第一陶瓷层的粗糙度小于第二区第一陶瓷层的粗糙度。

可选的，所述第二部件包括第三区和位于第三区周围的第四区，所述第三区的第二聚合物密封涂层与密封部件接触；所述第三区第二陶瓷层的粗糙度小于第四区第二陶瓷层的粗糙度。