[发明专利]一种霍山石斛含片及其制备方法

权利要求书

1.一种霍山石斛含片，其特征在于：所述霍山石斛含片主要由以下重量份数的原料制成：霍山石斛超微粉为1~9份，霍山石斛萃取物为1~9份；所述霍山石斛超微粉和霍山石斛萃取物的重量比为1：1；

所述霍山石斛超微粉的制备方法包括以下步骤：

（1）干燥：将霍山石斛置于真空冷冻干燥机中，进行真空冷冻干燥；

（2）粉碎：将冷冻干燥后的霍山石斛干条放入粉碎机内常温粉碎成粗粉，再置于低温振动药物粉碎机中低温破壁，所述低温温度为-40~-20℃；

所述霍山石斛萃取物的制备方法包括以下步骤：

（1）研磨过滤：将霍山石斛与水按1：10～40的比例混合，常温下经研磨机研磨后过滤，得到霍山石斛滤液；

（2）浓缩：将霍山石斛滤液置于浓缩器中进行浓缩，浓缩温度为50～70℃，真空度0.06～0.08Mpa，浓缩至相对密度为1.15～1.20，得霍山石斛浓缩液；

（3）干燥：将制得的霍山石斛浓缩液置于恒温干燥箱中进行干燥；

（4）粉碎：步骤（3）中产物置于低温振动药物粉碎机中进行粉碎，粉碎时的温度为-40℃～-20℃，得到霍山石斛萃取物；

（5）过筛：将粉碎后的霍山石斛萃取物过筛；

所述霍山石斛含片的制备方法包括以下步骤：

（1）混合：将霍山石斛超微粉、霍山石斛萃取物按比例均匀混合，得到霍山石斛混合物；

（2）造粒：向霍山石斛混合物内加入无水乙醇润湿，均匀混合后，用造粒机造粒，并过筛处理，制得霍山石斛片剂；

（3）干燥：将造粒后的霍山石斛片剂用恒温干燥箱干燥；

（4）整粒：将干燥后的霍山石斛片剂过筛，筛除残缺的霍山石斛片剂；

（5）压片：将完整的霍山石斛片剂用压片机进行压片，调节片重。

2.根据权利要求1所述的霍山石斛含片，其特征在于：所述霍山石斛超微粉的制备方法中步骤（1）中冷冻干燥的操作条件为：预冻-50℃~-40℃，保持1h~3h，压力2Pa~3Pa，升华温度0℃~20℃，保持10h~20h，解析干燥温度0℃~20℃，保持1h~5h。

3.根据权利要求1所述的霍山石斛含片，其特征在于：所述霍山石斛经过预处理，所述预处理包括以下步骤：挑选霍山石斛，去除表面杂质，用流动水清洗，除去霍山石斛的根须、枝叶，并作切段处理。

4.制备权利要求1所述的霍山石斛含片的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）混合：将霍山石斛超微粉、霍山石斛萃取物按比例均匀混合，得到霍山石斛混合物；

（2）造粒：向霍山石斛混合物内加入无水乙醇润湿，均匀混合后，用造粒机造粒，并过筛处理，制得霍山石斛片剂；

（3）干燥：将造粒后的霍山石斛片剂用恒温干燥箱干燥；

（4）整粒：将干燥后的霍山石斛片剂过筛，筛除残缺的霍山石斛片剂；

（5）压片：将完整的霍山石斛片剂用压片机进行压片，调节片重。

5.根据权利要求4所述的霍山石斛含片的制备方法，其特征在于：所述霍山石斛超微粉的制备方法包括以下步骤：

（1）干燥：将霍山石斛置于真空冷冻干燥机中，进行真空冷冻干燥；

（2）粉碎：将冷冻干燥后的霍山石斛干条放入粉碎机内常温粉碎成粗粉，再置于低温振动药物粉碎机中低温破壁，所述低温温度为-40~-20℃。

6.根据权利要求5所述的霍山石斛含片的制备方法，其特征在于：所述霍山石斛超微粉的制备方法中步骤（1）中冷冻干燥的操作条件为：预冻-50℃~-40℃，保持1h~3h，压力2Pa~3Pa，升华温度0℃~20℃，保持10h~20h，解析干燥温度0℃~20℃，保持1h~5h。

7.根据权利要求4所述的霍山石斛含片的制备方法，其特征在于：所述霍山石斛萃取物的制备方法包括以下步骤：

（1）研磨过滤：将霍山石斛与水按1：10～40的比例混合，常温下经研磨机研磨后过滤，得到霍山石斛滤液；

（2）浓缩：将霍山石斛滤液置于浓缩器中进行浓缩，浓缩温度为50～70℃，真空度0.06～0.08Mpa，浓缩至相对密度为1.15～1.20，得霍山石斛浓缩液；

（3）干燥：将制得的霍山石斛浓缩液置于恒温干燥箱中进行干燥；

（4）粉碎：步骤（3）中产物置于低温振动药物粉碎机中进行粉碎，粉碎时的温度为-40℃～-20℃，得到霍山石斛萃取物；

（5）过筛：将粉碎后的霍山石斛萃取物过筛。