[发明专利]用于处理基板的装置有效
申请号: | 201910350495.3 | 申请日: | 2019-04-28 |
公开(公告)号: | CN110416121B | 公开(公告)日: | 2023-07-21 |
发明(设计)人: | 李在晟;崔基勋;崔海圆;A·科里阿金;许瓒宁;金度宪;郑址洙 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 韩国忠淸南道天安*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 装置 | ||
1.一种用于处理基板的装置,所述装置包括:
腔室,其在内部具有处理空间;
基板支承单元,其配置成在所述处理空间中支承所述基板;以及
温度调节单元,其安装在所述腔室中并配置成调节所述处理空间中的温度,
其中,所述温度调节单元包括:
加热构件,其配置成加热所述处理空间;以及
冷却构件,其配置成冷却所述处理空间,且
其中,所述冷却构件位于比所述加热构件更靠近所述腔室的中心轴线;
所述装置还包括气体供应单元,所述气体供应单元配置成将气体供应到所述处理空间中;
所述气体供应单元将所述气体供应至所述处理空间中,使得通过供应到所述处理空间中的所述气体,将所述处理空间中的压力升高至超出所述气体的临界压力。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述加热构件和所述冷却构件具有彼此平行的纵向方向。
3.一种用于处理基板的装置,所述装置包括:
腔室,其在内部具有处理空间;
基板支承单元,其配置成在所述处理空间中支承所述基板;以及
温度调节单元,其安装在所述腔室中并配置成调节所述处理空间中的温度,
其中,所述温度调节单元包括:
加热构件,其配置成加热所述处理空间;以及
冷却构件,其配置成冷却所述处理空间,且
其中,所述冷却构件位于比所述加热构件更靠近所述腔室的中心轴线,
所述加热构件和所述冷却构件具有彼此平行的纵向方向
所述腔室包括:
上主体;和
下主体,所述下主体与所述上主体结合以在内部形成所述处理空间,
其中,所述装置还包括致动器,其配置成在移动方向上移动所述上主体和所述下主体中的至少一个,用于在所述处理空间关闭的关闭位置和所述处理空间打开的打开位置之间的位置变化,且
其中,所述加热构件和所述冷却构件的纵向方向平行于所述移动方向。
4.根据权利要求3所述的装置,其中,所述加热构件包括多个具有棒状的加热器;
其中,所述冷却构件包括多个具有棒状的冷却器,
其中,当从上方观察时,所述加热器结合在一起以具有环形,且
当从上方观察时,所述冷却器结合在一起以具有环形。
5.根据权利要求4所述的装置,其中,所述腔室具有形成于其中的冷却凹槽,所述冷却器插入到所述冷却凹槽中,且
其中,各所述冷却器包括:
第一部件,其对于所述腔室具有第一热导率;以及
第二部件,其从所述第一部件延伸并对于所述腔室具有第二热导率,其中,所述第二热导率低于所述第一热导率。
6.根据权利要求5所述的装置,其中,所述第一部件位于比所述第二部件更靠近所述处理空间。
7.根据权利要求6所述的装置,其中,所述第一部件具有大于所述第二部件的宽度,
其中,所述第一部件与形成相应的一个所述冷却凹槽的一个表面接触,且
其中,所述第二部件与所述一个表面间隔开。
8.根据权利要求7所述的装置,其中,所述冷却构件还包括外主体,所述外主体配置成围绕所述第二部件和所述腔室之间的空间,且
其中,所述外主体由配置成阻碍所述第二部件和所述腔室之间的热交换的绝热材料形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造