[发明专利]两步烧结工艺制备IGZO陶瓷靶材的方法在审
| 申请号： | 201910351001.3 | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110002853A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 刘洋;孙本双;舒永春;曾学云;朱锦鹏 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/453;C04B35/622;C04B35/64;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京卫智畅科专利代理事务所(普通合伙) 11557 | 代理人： | 朱春野 |
| 地址： | 450001 河南省郑*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷生坯 烧结 制备 晶粒 工艺制备 两步烧结 陶瓷靶材 脱脂 靶材 浆料 稀释剂 设备使用寿命 氧化物粉体 比例定量 低电阻率 工艺操作 去离子水 一步烧结 电阻率 固含量 烧结性 粘结剂 生坯 模具 保温 成型 | ||
1.两步烧结工艺制备IGZO陶瓷靶材的方法，其特征在于，包括：
浆料制备：按比例定量In2O3、Ga2O3和ZnO三种氧化物粉体，与去离子水、稀释剂和粘结剂混合，制备成高固含量的IGZO浆料；
坯体成型：IGZO浆料成型为IGZO陶瓷生坯体；
坯体脱脂：IGZO陶瓷生坯体在温度600～800℃下脱脂；
坯体烧结：将脱脂后的IGZO陶瓷生坯体升温至第一步烧结温度1400～1500℃，然后，降温至第二步烧结温度1320～1360℃，在第二步烧结温度下保温8～14小时，烧结气氛包括空气、氧气或氩气。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，In2O3、Ga2O3和ZnO中元素In、Ga和Zn的原子数摩尔比为1:1:1或2:2:1。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述稀释剂包括聚丙烯酸类或聚羧酸类，所述粘结剂包括阿拉伯树胶、聚乙烯醇或丙烯酸树脂。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述坯体脱脂和所述坯体烧结一体化进行。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一步烧结温度的升温速率为2～5℃/min。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，从第一步烧结温度到第二步烧结温度的降温速率设置为8～12℃/min。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述坯体成型的工艺包括压力注浆工艺、模压-等静压成型工艺。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述IGZO浆料中固含量不小于60％，以质量比计。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化物粉体与去离子水、稀释剂和粘结剂在负压环境下球磨混合。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述负压环境的压力不大于9Pa。
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