[发明专利]太赫兹硅胶材料

权利要求书

1.一种太赫兹硅胶材料，其特征在于，由按重量份数计的以下组分制成：硅胶主料80~100份、太赫兹矿物粉4~9份、磁性石墨烯2~5份、中空多孔碳纳米微球8~12份、负离子粉2~5份、纳米银1~4份、羟基硅油4~6份、白炭黑8~23份、高乙烯基硅油2~5份、EVA树脂13~19份、球形氧化铝10~24份、KH-550硅烷偶联剂0.5~1.2份、二甲基二甲氧基硅烷1~3份、颜料0~2份、硫化剂0.2~0.5份、促进剂0.1~1.5份。

2.根据权利要求1所述的太赫兹硅胶材料，其特征在于，所述太赫兹矿物粉为能够放射太赫兹波的麦饭石、正长石、砭石、贵阳石、水铝英石、木鱼石、电气石、锗矿石中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的太赫兹硅胶材料，其特征在于，所述磁性石墨烯的制备方法为将氧化石墨加入到乙二醇中超声剥离，得到氧化石墨烯分散液，然后加入六水合氯化铁，搅拌溶解后继续搅拌2 h，再加入醋酸钠、聚乙二醇，搅拌0.5 h，200 ℃反应16 h，减压过滤，分别用二次蒸馏水和乙醇洗涤，50 ℃真空干燥即得。

4.根据权利要求1所述的太赫兹硅胶材料，其特征在于，所述中空多孔碳纳米微球的制备方法为以纳米碳酸钙为模板，在其表面进行多巴胺自组装，常温条件下聚合得到聚多巴胺包覆的纳米碳酸钙，然后高温煅烧，得到中空多孔碳纳米微球。

5.根据权利要求1所述的太赫兹硅胶材料，其特征在于，所述KH-550硅烷偶联剂的质量分数为2.5%。

6.一种根据权利要求1~5任一项所述的太赫兹硅胶材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、称量：按重量份数配比称量所用到的组分；

步骤二、预处理：将KH-550硅烷偶联剂用稀释剂稀释后，加入太赫兹粉、磁性石墨烯、中空多孔碳纳米微球，在磁力振荡机中振荡1 h，过滤，自然干燥，得偶联材料；

步骤三、共混改性：将硅胶主料加入35~40 ℃密炼机中，密炼3~5 min后升温至70℃，加入EVA树脂，继续密炼20~25min后出料；

步骤四、混炼：将步骤三所得共混改性的混炼料加入开炼机中，混炼2~3 min，缓慢添加羟基硅油，继续混炼2~3 min；缓慢加入偶联材料、负离子粉、纳米银、球形氧化铝、二甲基二甲氧基硅烷、颜料，20~30 min添加完毕；薄通三次，混炼均匀后加入硫化剂及促进剂，继续混炼成块下片，得到混炼胶；

步骤五、硫化：将步骤四的混炼胶放置到平板硫化机上，启动平板硫化机，155~165 ℃保温10min，进行一段硫化，硫化完成后冷却至室温，将硫化后的胶片放入烘箱中，175~185℃处理20~40 min，进行二段硫化，得太赫兹硅胶材料，进一步制作得产品；

步骤六、表面处理：将步骤五制得的产品置于紫外臭氧清洗机空腔内，预热完成后照射20 min，待显示完成后取出即可。

7.根据权利要求6所述的太赫兹硅胶材料的制备方法，其特征在于，步骤四中混炼温度为90~140 ℃。

8.根据权利要求6所述的太赫兹硅胶材料的制备方法，其特征在于，步骤五中硫化压力5~9 MPa。