[发明专利]一种薄膜单晶压电材料复合基板的制造方法和应用

权利要求书

1.一种薄膜单晶压电材料复合基板的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤S1：在衬底上沉积一层介质材料；步骤S2：于介质材料上沉积一层金属层；步骤S3：涂覆光刻胶，曝光，显影后定义出截止层图形，形成非截止区域；步骤S4：采用湿法蚀刻工艺刻蚀非截止区域的金属层，并去除光刻胶形成截止层；步骤S5：将压电材料与非截止区域的介质材料键合，压电材料的硬度小于截止层的硬度；步骤S6：先将压电材料进行研磨减薄，再采用化学机械研磨，通过截止层控制压电材料的厚度；步骤S7：对衬底的背面进行研磨和抛光；步骤S8：对截止层区域進行激光切割或边磨削，去除截止层，即得到薄膜单晶压电材料复合基板。

2.根据权利要求1所述的一种薄膜单晶压电材料复合基板的制造方法，其特征在于：在步骤S1中，所述介质材料为SiO₂、SiN或AlN。

3.根据权利要求1所述的一种薄膜单晶压电材料复合基板的制造方法，其特征在于：在步骤S1中，介质材料的厚度为5-500nm。

4.根据权利要求1所述的一种薄膜单晶压电材料复合基板的制造方法，其特征在于：在步骤S2中，金属层的金属为钨。

5.根据权利要求1所述的一种薄膜单晶压电材料复合基板的制造方法，其特征在于：在步骤S2中，金属层的厚度为2-1000nm。

6.根据权利要求1所述的一种薄膜单晶压电材料复合基板的制造方法，其特征在于：在步骤S4中，湿法蚀刻工艺的蚀刻剂为双氧水。

7.根据权利要求1所述的一种薄膜单晶压电材料复合基板的制造方法，其特征在于：在步骤S5中，压电材料是钽酸锂、铌酸锂或氮化铝。

8.根据权利要求1所述的一种薄膜单晶压电材料复合基板的制造方法，其特征在于：衬底的声波速度大于压电材料的声波速度。

9.根据权利要求1所述的一种薄膜单晶压电材料复合基板的制造方法，其特征在于：压电材料与截止层之间具有的间隙。

10.由根据权利要求1-9所述的任意一种方法制造的薄膜单晶压电材料复合基板应用在滤波器器件上。