[发明专利]一种SiC基GaN外延片的剥离方法在审
| 申请号： | 201910351522.9 | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110079859A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 蔡仙清;蔡文必;刘胜厚;邹鹏辉;许若华;卢益锋;杨健 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/40 |
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| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 剥离 气泡层 注入氧离子 激光切割 使用率 氧层 回收 | ||
1.一种SiC基GaN外延片的剥离方法，其特征在于：具体包括以下步骤：步骤S1：通过注入氧离子，在SiC衬底表层下形成氧层及SiO2，同时，反应形成气泡层；步骤S2：在SiC衬底表层上生成GaN外延；步骤S3：沿着气泡层进行激光切割，得到SiC基GaN外延片。
2.根据权利要求1所述的一种SiC基GaN外延片的剥离方法，其特征在于：在SiC衬底表层下50 um处形成氧层。
3.根据权利要求1所述的一种SiC基GaN外延片的剥离方法，其特征在于：步骤S1中，在注入氧离子前，在SiC衬底上沉积氮化硅介质层。
4.根据权利要求3所述的一种SiC基GaN外延片的剥离方法，其特征在于：介质层厚度为300-1000nm。
5.根据权利要求1所述的一种SiC基GaN外延片的剥离方法，其特征在于：步骤S1中，在SiC衬底下形成氧层前将SiC衬底依次通过N甲基吡咯烷酮、异丙醇和去离子水各超声清洗5-10min，然后通过氮气甩干，除去SiC衬底表面的有机物。
6.根据权利要求1所述的一种SiC基GaN外延片的剥离方法，其特征在于：步骤S1中，室温的条件下，将能量为300~500keV量级的氧离子束入射到SiC衬底表层中去，注入量为1E14~1E20 ions/cm2，注入方向由上至下倾斜7°。
7.根据权利要求1所述的一种SiC基GaN外延片的剥离方法，其特征在于：步骤S1中，将注入氧离子的SiC衬底置于氮气氛围下，在850℃-950℃下退火5-15min，以修复离子注入损伤，氧离子会在SiC表面下形成富氧状态从而形成氧层。
8.根据权利要求1所述的一种SiC基GaN外延片的剥离方法，其特征在于：步骤S1中，气泡层厚度为40-200nm。
9.根据权利要求1所述的一种SiC基GaN外延片的剥离方法，其特征在于：将步骤S3得到的SiC基GaN外延片以及剥离后的SiC衬底通过化学机械平坦化磨平。
10.根据权利要求1所述的一种SiC基GaN外延片的剥离方法，其特征在于：气泡层为COX气泡和SiO2气泡。
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