[发明专利]应用LDO电路的芯片及电子设备

权利要求书

1.一种应用LDO电路的芯片，其特征在于，所述芯片中的LDO电路包括：主电路，以及与所述主电路连接的控制电路和电流采样电路；

所述主电路包括电压输入端、电压输出端和场效应晶体管；

所述电压输入端用于接收外部电路的外部输入电压；所述电压输出端用于为所述外部电路提供稳定的输出电压；

所述场效应晶体管的漏极与所述电压输入端连接，所述场效应晶体管的源极与所述电压输出端连接；

所述控制电路用于控制所述电压输出端的输出电压与预设参考电压的比值达到预设比值；

其中，所述控制电路的第一输入端与所述预设参考电压连接；所述控制电路的第一输出端与所述场效应晶体管的栅极连接；所述控制电路的第二输出端与所述场效应晶体管的源极连接；

所述电流采样电路用于检测通过所述场效应晶体管上的电流；

其中，所述电流采样电路的电流采样端与所述场效应晶体管的栅极连接；所述电流采样电路的第二输入端与外部供电电压、所述控制电路的第三输出端连接；所述电流采样电路的第三输入端与所述外部输入电压连接，所述电流采样电路的第四输出端与所述电压输出端连接；

所述电流采样电路包括第二放大器、第二场效应管和差分子电路；

所述第二场效应管用于采集所述场效应晶体管上的电流；

所述第二放大器用于抑制所述第二场效应管所在通路上的漏电，以稳定所述第二场效应管的采集准确度；

其中，所述第二场效应管的源极与所述第四输出端连接；所述第二场效应管的栅极与所述电流采样端连接；所述第二场效应管的漏极与所述第二放大器的反向输入端、所述差分子电路的第一差分输出端连接，所述第二放大器的同向输入端与所述第三输入端连接；所述第二放大器的输出端与所述差分子电路的第二差分输出端连接；所述差分子电路的差分输入端与所述第二输入端连接；所述差分子电路的第三差分输出端与所述电流采样电路预留的第六输出端连接；所述差分子电路的接地端接地。

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述差分子电路包括第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管和第一电容；

所述第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管均为N沟道场效应管；第六场效应管均为P沟道场效应管；

其中，所述第三场效应管的栅极、所述第三场效应管的漏极、所述第四场效应管的栅极均和所述第五场效应管的源极连接；所述第三场效应管的源极、所述第四场效应管的源极、所述第一电容的第一电容端均和所述差分输入端连接；所述第一电容的第二电容端、所述第五场效应管的栅极均和所述第二差分输出端连接；所述第五场效应管的漏极与所述第一差分输出端连接；所述第四场效应管的漏极、所述第六场效应管的漏极、所述第六场效应管的栅极与所述第三差分输出端连接；所述第六场效应管的源极与所述差分子电路的接地端连接。

3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述控制电路包括第一放大器、第一场效应管、第一电阻和第二电阻；

所述第一放大器用于对所述预设参考电压进行放大后，输出对应所述预设参考电压的放大电压；

所述第一场效应管用于稳定该放大电压，以保证该放大电压的电压裕度；

其中，所述第一电阻的第一电阻端与所述第二输出端连接；所述第一电阻的第二电阻端与所述第二电阻的第三电阻端连接，所述第二电阻的第四电阻端接地；所述第一放大器的同向输入端与所述第一输入端连接；所述第一放大器的反向输入端与所述第三电阻端连接；所述第一放大器的输出端与所述第一场效应管的栅极连接；所述第一场效应管的源极与所述第一输出端连接；所述第一场效应管的漏极与所述第三输出端连接。

4.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述LDO电路还包括环路补偿电路；

所述环路补偿电路用于产生跟随零点，以对所述LDO电路进行环路补偿；

其中，所述环路补偿电路的第一补偿端与所述第一放大器的输出端连接；所述环路补偿电路的第二补偿端与所述第一输出端；所述环路补偿电路的第三补偿端与所述第六输出端连接；所述环路补偿电路的接地端接地。