[发明专利]一种高性能低介电聚酰亚胺、其制备方法及高性能低介电聚酰亚胺薄膜

权利要求书

1.一种高性能低介电聚酰亚胺，其结构式如式I所示：

2.权利要求1所述的一种高性能低介电聚酰亚胺的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

包括以下步骤：

(1)式VI所示的化合物与式VII所示的化合物反应，得式VIII所示的中间体；

(2)VIII所示的中间体反应，得式V所示的化合物；

反应式如下：

3.根据权利要求4所述的一种高性能低介电聚酰亚胺的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)在氮气保护和一定温度条件下，式VI所示的化合物与式VII所示的化合物在有机溶剂中搅拌反应，得式VIII所示的中间体；

(2)加入脱水剂和催化剂，VIII所示的中间体于一定温度下继续搅拌反应，清洗，过滤，烘干，得式V所示的化合物。

4.根据权利要求4所述的一种高性能低介电聚酰亚胺的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，所述有机溶剂为N-甲基吡咯烷酮、N，N-二甲基乙酰胺或N，N-二甲基甲酰胺的一种；反应温度为5-25℃。

5.根据权利要求4所述的一种高性能低介电聚酰亚胺的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，所述脱水剂为三氟乙酸酐、乙酸酐、氯化亚砜或有机硅化合物的一种或几种的混合物；脱水剂与化合物VII的摩尔比为3:1～5:1；所述催化剂为三乙胺或吡啶中的一种或两种混合，催化剂与化合物VII的摩尔比为2:1～4:1；反应温度为40～60℃。

6.权利要求1所述的高性能低介电聚酰亚胺高频通信中的应用。

7.一种高性能低介电聚酰亚胺薄膜，其特征在于：包括权利要求1的高性能低介电聚酰亚胺、含氟硅氧烷、多孔壳聚糖；其中，含氟硅氧烷的质量为低介电聚酰亚胺质量的1-2％，多孔壳聚糖为低介电聚酰亚胺质量的0.5-1％。

8.根据权利要求7所述的一种高性能低介电聚酰亚胺薄膜，其特征在于：所述含氟硅氧烷为七氟戊基三乙氧基硅烷、七氟戊基三甲氧基硅烷、七氟戊基三氯硅烷、全氟辛基乙基三氯硅烷、全氟辛基乙基三甲氧基硅烷、全氟辛基乙基三乙氧基硅烷、十三氟辛基三乙氧基硅烷、十三氟辛基三甲氧基硅烷、十三氟辛基三氯硅烷中的一种或几种。

9.权利要求8所示的高性能低介电聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)将含氟硅氧烷和壳聚糖分别加入有机溶剂中，得到含氟硅氧烷溶液和壳聚糖溶液；

(2)将权利要求1所述的高性能低介电聚酰亚胺加热至50-60℃，恒温搅拌；再滴加含氟硅氧烷溶液，边滴加边搅拌；搅拌并自然降温至30-40℃，降温同时滴加壳聚糖溶液；

(3)将步骤(2)的产物制成薄膜，即为高性能低介电聚酰亚胺薄膜。

10.权利要求7所述的高性能低介电聚酰亚胺在高频通讯中的应用。