[发明专利]一种低温漂电容式湿度传感器在审
| 申请号： | 201910352643.5 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN110108763A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 李卫;刘启凡;陈婉翟;任青颖 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | G01N27/22 | 分类号： | G01N27/22;G01K7/34;B81B3/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈国强 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶硅电极 负电极 叉指 电容式湿度传感器 低温漂 钝化层 电极 衬底 绝缘层 湿度敏感介质 叉指结构 垂直电容 电极表面 电极形成 水平电容 依次设置 集成化 空气层 气层 温漂 响应 | ||
1.一种低温漂电容式湿度传感器，其特征在于：包括衬底(1)，衬底上依次设置有绝缘层(2)和第一钝化层(3)，第一钝化层(3)上设置有多晶硅电极(4)，多晶硅电极(4)上方设置有叉指负电极(6)和叉指正电极(8)，叉指正电极(8)表面覆有一层湿度敏感介质(7)；叉指负电极(6)和叉指正电极(8)形成叉指结构，叉指负电极(6)和叉指正电极(8)之间有第一空气层(9)，构成水平电容；所述多晶硅电极(4)包括位于叉指负电极(6)下方的第一多晶硅电极(4-1)和位于叉指正电极(8)下方的第二多晶硅电极(4-2)，叉指正电极(8)与其下方的第二多晶硅电极(4-2)直接连接，叉指负电极(6)与其下方的第一多晶硅电极(4-1)之间设置有第二空气层(10)，且第一多晶硅电极(4-1)上覆有第二钝化层(5)，叉指负电极(6)与第一多晶硅电极(4-1)构成垂直电容。
2.根据权利要求1所述的低温漂电容式湿度传感器，其特征在于：所述水平电容及垂直电容为两组，并通过可动梁(14)连接，可动梁(14)分别与两组电容的叉指负电极(6)连接。
3.根据权利要求2所述的低温漂电容式湿度传感器，其特征在于：还包括级联梁(13)，级联梁(13)与可动梁(14)连接，级联梁(13)为“H”形状，其四个端部均通过锚区(11)与衬底(1)固定。
4.根据权利要求3所述的低温漂电容式湿度传感器，其特征在于：所述衬底(1)上具有凹槽，级联梁(13)放置于衬底(1)的凹槽中，并且级联梁(13)与凹槽之间设置有第三空气层(12)。
5.根据权利要求1所述的双电容式温湿度传感器，其特征在于：所述衬底(1)的材质为硅。
6.根据权利要求1所述的低温漂电容式湿度传感器，其特征在于：所述叉指负电极(6)和叉指正电极(8)的材质为镍。
7.根据权利要求1所述的低温漂电容式湿度传感器，其特征在于：所述湿度敏感介质(7)的材质为氧化石墨烯。
8.根据权利要求1所述的低温漂电容式湿度传感器，其特征在于：所述第一钝化层(3)、第二钝化层(5)的材质为氮化硅。
9.根据权利要求1所述的低温漂电容式湿度传感器，其特征在于：所述绝缘层(2)的材质为二氧化硅。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京邮电大学，未经南京邮电大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910352643.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
