[发明专利]栅极偏置电路及功率放大器

权利要求书

1.一种栅极偏置电路，应用于功率放大器，其特征在于，所述栅极偏置电路包括：

第一偏置电阻，所述第一偏置电阻的第一端用于连接外部直流电源；

微带线，所述微带线的第一端与所述第一偏置电阻的第二端连接；

第二偏置电阻，所述第二偏置电阻的第一端与所述微带线的第二端连接，所述第二偏置电阻的第二端用于通过所述功率放大器的匹配电路连接所述功率放大器的场效应晶体管的栅极；

其中，所述第一偏置电阻和所述第二偏置电阻在接通所述外部直流电源时分别产生第一交流频率信号和第二交流频率信号，所述第一交流频率信号和所述第二交流频率信号用于对所述匹配电路中的三阶交调信号进行调制，以使所述三阶交调信号的幅值与所述匹配电路的基波信号的幅值差变大。

2.如权利要求1所述的栅极偏置电路，其特征在于，所述第一偏置电阻和所述第二偏置电阻均为压控电阻。

3.如权利要求1所述的栅极偏置电路，其特征在于，所述场效应晶体管为高电子迁移率晶体管。

4.如权利要求1至3任一项所述的栅极偏置电路，其特征在于，所述栅极偏置电路还包括去耦电容，所述去耦电容的第一端与所述第一偏置电阻的第一端连接，所述去耦电容的第二端用于接地。

5.一种功率放大器，其特征在于，所述功率放大器包括如权利要求 1-4中任一项所述的栅极偏置电路。

6.如权利要求5所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器还包括串联连接的用于高通滤波的输入级匹配电路、用于带通滤波的中间级匹配电路和用于低通滤波的输出级匹配电路；

所述输入级匹配电路连接有一个所述栅极偏置电路，所述中间级匹配电路连接有至少一个所述栅极偏置电路。

7.如权利要求6所述的功率放大器，其特征在于，所述中间级匹配电路包括串联连接的第一中间级匹配电路、第二中间级匹配电路和第三中间级匹配电路，所述第一中间级匹配电路、第二中间级匹配电路和第三中间级匹配电路分别连接有至少一个所述栅极偏置电路，所述第一中间级匹配电路、所述第二中间级匹配电路、所述第三中间级匹配电路和所述输出级匹配电路的级间推比为1：2：4：8。

8.如权利要求5至7任一项所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器还包括漏极偏置电路，所述漏极偏置电路与所述功率放大器的场效应晶体管的漏极连接，用于为所述漏极提供漏极偏置电压。

9.如权利要求5至7任一项所述的功率放大器，其特征在于，所述场效应晶体管的栅极包括两个以上的子栅极，所述栅极的栅宽为所述两个以上的子栅极的栅宽的和。