[发明专利]承载装置及工艺腔室在审
申请号: | 201910353473.2 | 申请日: | 2019-04-28 |
公开(公告)号: | CN111863699A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 王福来 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 承载 装置 工艺 | ||
1.一种承载装置,其特征在于,包括:
可旋转的承载盘,在所述承载盘上设置有沿其周向间隔设置的多个用于承载晶片的工位;并且,在所述承载盘的每个所述工位中设置有至少三个沿其厚度贯穿的通孔,至少三个所述通孔沿其所在的所述工位的周向间隔分布;
至少三个顶针,竖直设置在所述承载盘的下方,且位于与取放片位置相对应的位置处,并且各个所述顶针的位置与旋转至所述取放片位置的所述工位中的各个所述通孔的位置一一对应;
升降机构,用于驱动各个所述顶针穿过与之对应的各个所述通孔上升或下降至高于或低于所述工位的位置处。
2.根据权利要求1所述的承载装置,其特征在于,还包括:位于所述承载盘下方的加热器;
所述加热器用于加热所述承载盘;在所述加热器上与取放片位置相对应的位置处设置有至少三个沿其厚度贯穿的顶针孔,各个所述顶针的位置与各个顶针孔的位置一一对应,各个所述顶针可穿过与之对应的各个顶针孔。
3.根据权利要求2所述的承载装置,其特征在于,所述承载盘能相对所述加热器转动,且在二者之间具有间隙。
4.根据权利要求3所述的承载装置,其特征在于,所述加热器与所述承载盘之间的间隙值小于1mm。
5.根据权利要求4所述的承载装置,其特征在于,还包括:气孔以及迷宫结构;
所述气孔位于所述承载盘和所述加热器的中部;
所述迷宫结构包括第一迷宫结构与第二迷宫结构;
所述第一迷宫结构用于防止工艺气体由所述承载装置的侧壁进入所述加热器与所述承载盘之间的间隙;
所述第二迷宫结构用于防止工艺气体由所述气孔进入所述加热器与所述承载盘之间的间隙。
6.根据权利要求5所述的承载装置,其特征在于,所述第一迷宫结构由所述加热器外侧壁与所述承载盘内侧壁上分别设置的一个或多个凹部和凸部形成,且所述凹部与所述凸部之间具有迷宫式通道。
7.根据权利要求5所述的承载装置,其特征在于,所述第二迷宫结构由所述加热器上表面与所述承载盘下表面上分别设置的一个或多个凹部和凸部形成,且所述凹部与所述凸部之间具有迷宫式通道。
8.根据权利要求2所述的承载装置,其特征在于,所述顶针外壁与所述顶针孔的内壁之间的最小距离大于2mm。
9.根据权利要求1-8任一项所述的承载装置,其特征在于,相对于所述工位中心在不同半径的圆周上都分布有至少三个所述通孔。
10.根据权利要求1或2所述的承载装置,其特征在于,还包括:用于控制所述承载盘旋转的转位机构;
所述转位机构包括:第一驱动器以及设置在所述承载盘底面中心的旋转轴,所述旋转轴与所述第一驱动器连接,所述第一驱动器通过驱动所述旋转轴使所述承载盘围绕所述旋转轴中心转动。
11.根据权利要求10所述的承载装置,其特征在于,所述升降机构包括:顶升臂以及与所述顶升臂连接的第二驱动器;所述第二驱动器驱动所述顶升臂沿竖直方向运动;
所述顶升臂包括:固定盘以及与所述固定盘连接的中心臂,所述固定盘分别与各个所述顶针固定连接;
所述中心臂与所述第二驱动器连接,且同轴套设在所述旋转轴上。
12.一种工艺腔室,其特征在于,所述工艺腔室内的底部设置有承载装置,所述承载装置采用权利要求1-11任一项所述的承载装置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司,未经北京北方华创微电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910353473.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:防晒剂
- 下一篇:一种中继网络中的数据传输方法及网络侧设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造