[发明专利]一种忆阻器及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910353729.X | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN110047993B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 诸葛飞;陈炜东;胡令祥;曹鸿涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 刘诚午 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 忆阻器 及其 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种忆阻器，其特征在于，包括自下而上依次组成的底电极、介质层和顶电极，所述介质层选自绝缘材料，选自硫化物、硒化物或碲化物，所述顶电极为CuS。
2.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述的底电极的厚度为5～500nm。
3.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述的介质层的厚度为2～300nm。
4.根据权利要求1或3所述的忆阻器，其特征在于，所述的介质层为ZnS。
5.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述的顶电极的厚度为6～200nm。
6.一种根据权利要求1～5任一权利要求所述的忆阻器的制备方法，其特征在于，包括步骤：
(1)在衬底上依次形成底电极和介质层；
(2)在所述介质层上形成若干个相互隔离的顶电极。
7.根据权利要求6所述的忆阻器的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，在衬底和底电极之间添加厚度为5～100nm的缓冲层。
8.根据权利要求6所述的忆阻器的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，采用磁控溅射结合掩膜版的方法，在介质层上制备相互隔离的顶电极。
9.根据权利要求1～5任一权利要求所述的忆阻器在生物突触的短程抑制功能模拟中的应用。
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