[发明专利]一种高分辨率AMOLED显示结构及其制备方法在审
申请号: | 201910353732.1 | 申请日: | 2019-04-29 |
公开(公告)号: | CN110112143A | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L21/84 |
代理公司: | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人: | 林志峥 |
地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘层 半导体层 金属层 高分辨率 区域结构 显示结构 有机层 制备 微电子技术领域 电路设计需求 第二金属层 第一金属层 亚像素补偿 玻璃层 分辨率 结构层 | ||
1.一种高分辨率AMOLED显示结构,包括TFT区域结构,其特征在于,所述TFT区域结构包括玻璃层,在所述TFT区域结构的玻璃层表面上依次层叠设置有第一金属层、第一绝缘层、第一半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、第二半导体层、第三金属层、第四绝缘层、第一有机层、第四金属层、第二有机层和第五金属层,所述TFT区域结构的第二绝缘层上设有第一过孔,所述第一过孔中填充有第二金属层,所述第二金属层分别与所述TFT区域结构的第一半导体层远离所述TFT区域结构的玻璃层的一侧面和所述TFT区域结构的第二绝缘层远离所述TFT区域结构的玻璃层的一侧面接触,所述TFT区域结构的第四绝缘层上设有第二过孔,所述TFT区域结构的第一有机层上设有第三过孔,所述第二过孔与所述第三过孔相对设置且连通,所述第二过孔和第三过孔中均填充有第四金属层,所述第四金属层与所述TFT区域结构的第三金属层远离所述TFT区域结构的玻璃层的一侧面接触。
2.根据权利要求1所述的高分辨率AMOLED显示结构,其特征在于,所述TFT区域结构还包括第五绝缘层,所述第五绝缘层设置在所述TFT区域结构的第三绝缘层和第三金属层之间,且分别与所述TFT区域结构的第二半导体层、TFT区域结构的第三绝缘层远离TFT区域结构的玻璃层的一侧面和TFT区域结构的第三金属层靠近TFT区域结构的玻璃层的一侧面接触,所述第五绝缘层上设有第四过孔,所述第四过孔中填充有第三金属层,所述第三金属层与所述TFT区域结构的第二半导体层远离TFT区域结构的玻璃层的一侧面接触。
3.根据权利要求1所述的高分辨率AMOLED显示结构,其特征在于,还包括电容区域结构,所述电容区域结构包括玻璃层,在所述电容区域结构的玻璃层表面上依次层叠设置有第一金属层、第一绝缘层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、第三金属层、第四绝缘层、第一有机层、第四金属层、第二有机层和第五金属层,所述电容区域结构的第一绝缘层上设有第五过孔,所述电容区域结构的第二绝缘层上设有第六过孔,所述电容区域结构的第三绝缘层上设有第七过孔,所述第五过孔、第六过孔和第七过孔相对设置且连通,所述第五过孔、第六过孔和第七过孔中均填充有第三金属层,所述第三金属层与所述电容区域结构的第一金属层远离电容区域结构的玻璃层的一侧面接触。
4.根据权利要求3所述的高分辨率AMOLED显示结构,其特征在于,所述电容区域结构还包括第五绝缘层,所述第五绝缘层设置在所述电容区域结构的第三绝缘层和第三金属层之间,且分别与所述电容区域结构的第三绝缘层远离电容区域结构的玻璃层的一侧面和电容区域结构的第三金属层靠近电容区域结构的玻璃层的一侧面接触,所述第五绝缘层上设有第八过孔,所述第八过孔中填充有第三金属层。
5.根据权利要求3-4任意一项所述的高分辨率AMOLED显示结构,其特征在于,所述电容区域结构的第一金属层、第二金属层和第三金属层构成电容器的三个极板。
6.根据权利要求1所述的高分辨率AMOLED显示结构,其特征在于,所述TFT区域结构的第二有机层上设有第九过孔,所述第九过孔中填充有有机发光材料层,所述有机发光材料层与所述TFT区域结构的第四金属层远离所述TFT区域结构的玻璃层的一侧面接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的