[发明专利]台阶样块的刻蚀工艺参数评价方法有效
申请号: | 201910353879.0 | 申请日: | 2019-04-29 |
公开(公告)号: | CN110112079B | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 张晓东;冯亚南;李锁印;韩志国;赵琳;许晓青;梁法国 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 高欣 |
地址: | 050051 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 台阶 刻蚀 工艺 参数 评价 方法 | ||
1.台阶样块的刻蚀工艺参数评价方法,其特征在于,包括:
计算台阶样块的高度d;
计算台阶样块的外尺寸a和内尺寸b;
计算台阶样块的侧面倾斜角θ;
设定参数ε评价刻蚀工艺水平,所述参数与台阶侧面倾斜角的关系如公式(1);
ε=sinθ (1);
所述计算台阶的高度通过:
扫描出台阶轮廓,将台阶样块划分为A、B和C三个区域,作为测量计算区域,采用各测量计算区域宽度的1/3进行测量,计算结果通过三个测量计算区域的全区域等权的代数和平均值的方法获得,计算公式如(2)所示:
式中:
d——台阶高度,单位:nm;
Ai——区域A中Z轴位移测量值,单位:nm;
Bi——区域B中Z轴位移测量值,单位:nm;
Ci——区域C中Z轴位移测量值,单位:nm;
m——区域B测量点数;
n——区域A、C测量点数;
W——台阶的宽度;
所述计算台阶样块的外尺寸a和内尺寸b包括:
采集台阶样块图像,将台阶样块图像分为L、M、N、D、E五个区域,通过边缘检测,获取各区域边界的整像素位置;
寻找边界整像素位置的起止点;
利用轴向邻域和差算法,获取亚像素位置,进而获取边界的精准位置;
完成边界位置的检测,计算台阶样块的外尺寸a和内尺寸b。
2.如权利要求1所述的台阶样块的刻蚀工艺参数评价方法,其特征在于,
所述台阶样块的侧面倾斜角θ通过计算得到,计算公式如(3)所示
式中:
θ——台阶样块侧面倾斜角,单位:rad;
d——台阶样块的高度,单位:nm;
a——台阶样块的外尺寸,单位:nm;
b——台阶样块的内尺寸,单位:nm。
3.如权利要求1所述的台阶样块的刻蚀工艺参数评价方法,其特征在于,所述台阶样块图像使用SEM采集获得。
4.如权利要求1所述的台阶样块的刻蚀工艺参数评价方法,其特征在于,所述台阶样块的高度通过台阶仪探针扫描获得。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造