[发明专利]晶硅及其晶体生长工艺在审
| 申请号： | 201910354175.5 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN110158148A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 刘海;张新皓;许一柠 | 申请（专利权）人： | 江苏协鑫软控设备科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 唐清凯;闫晓欣 |
| 地址： | 221001 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体生长工艺 晶硅 杂质总量 加料 电阻率分布 掺杂元素 分凝系数 晶硅材料 线性函数 晶体的 熔体 制备 种晶 相等 | ||
1.一种晶硅的晶体生长工艺，其特征在于，在单位时间内，根据熔体中掺杂元素的分凝系数K，控制加料重量和长晶重量的加料比率，使其为K的线性函数。
2.根据权利要求1所述的晶硅的晶体生长工艺，其特征在于，所述晶硅生长工艺为连续直拉单晶硅生长。
3.根据权利要求2所述的晶硅的晶体生长工艺，其特征在于，加料比率＝1-AK，其中A＝0.3～3。
4.根据权利要求1所述的晶硅的晶体生长工艺，其特征在于，所述晶硅生长工艺为定向凝固生长。
5.根据权利要求4所述的晶硅的晶体生长工艺，其特征在于，加料比率＝1-AK，其中A＝0.05～3。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的晶硅的晶体生长工艺，其特征在于，晶体最终的重量Wc、初始装料量Wm与初始分凝系数K满足AK≤Wm/Wc，其中A＝0.05～3。
7.根据权利要求1～5中任一项所述的晶硅的晶体生长工艺，其特征在于，所述掺杂元素为Ⅲ族、Ⅴ族元素掺杂剂或者Ge。
8.根据权利要求1～5中任一项所述的晶硅的晶体生长工艺，其特征在于，所述单位时间为不存在周期性的间隔时间，所述单位时间为大于0小于等于24小时。
9.根据权利要求1～5中任一项所述的晶硅的晶体生长工艺，其特征在于，所述单位时间为存在周期性的间隔时间，间隔时间不大于1小时。
10.一种晶硅，其特征在于，采用权利要求1～9中任一项所述的晶硅的晶体生长工艺制备得到。
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