[发明专利]基于基片集成镜像介质波导的水平极化漏波天线

权利要求书

1.一种基于基片集成镜像介质波导的水平极化漏波天线，其特征在于：包括馈线结构(1)，辐射结构(2)及馈电结构(3)，

所述天线的馈线结构(1)从下往上依次为馈线下层金属地(12)，馈线介质层(11)，其中馈线介质层(11)沿中轴线左右对称设置两个空气孔区域(112)，两个空气孔区域(112)之间为中心传输带(111)；

辐射结构(2)包含多个辐射单元，辐射单元为紧贴在中心传输带部分(111)上表面的金属长条形贴片(21)，金属长条形贴片(21)沿中心传输带的电磁波传播方向排列，金属长条形贴片(21)与传输带中轴线(113)的夹角不为0度或90度，相邻两个金属长条形贴片(21)的倾斜方向相反，每个金属长条形贴片的中点在传输带中轴线(113)上，相邻两个金属长条形贴片(21)在传输带中轴线(113)上的间距相等，馈线结构(1)与辐射结构(2)构成天线的辐射部分；单元间距是以二分之一个波导波长为基准计算，辐射结构(2)包含28个单元，单元间距为4mm，宽度为1.6mm，长度为5.7mm；

所述馈电结构(3)从下往上依次包含馈电结构下层金属地(33)、馈电结构介质层(32)、上层金属(31)，馈电结构下层金属地(33)上开底层圆形槽(331)，馈电结构介质层(32)上与底层圆形槽(331)的位置对应处有贯穿馈电介质的金属化通孔(321)，上层金属(31)上与底层圆形槽(331)的位置对应处开顶层圆形槽(311)，贯穿馈电介质的金属化通孔(321)和顶层圆形槽(311)和底层圆形槽(331)三者圆心重合，贯穿馈电结构下层金属地(33)、馈电结构介质层(32)、上层金属(31)三层的SIW过渡结构金属化通孔(34)排布成SIW过渡结构，贯穿馈电介质的金属化通孔(321)和顶层圆形槽(311)和底层圆形槽(331)三者都位于SIW过渡结构内部，同轴探针插入贯穿馈电介质的金属化通孔(321)中，同轴探针突出馈电结构介质层(32)的部分由金属腔体(35)盖住；在SIW过渡结构和馈线结构的相交处，上层金属(31)的中轴线上开渐变形槽(312)，渐变形槽(312)沿从馈电结构(3)到馈线结构(1)的方向逐渐变宽，以与馈线结构(1)实现阻抗匹配；在上层金属(31)截止处，横向排列多个贯穿馈电结构介质层和馈电结构下层金属地的金属化通孔(36)，馈线结构的中轴线和馈电结构的中轴线重合。

2.按权利要求1所述的基于基片集成镜像介质波导的水平极化漏波天线，其特征在于：在与馈线电磁波传播方向垂直的方向上，多个辐射部分并列排放，将原有的一维线阵扩展为二维面阵，进而进行二维赋形；所组成二维面阵的馈线结构共用馈线介质层(11)以及馈线下层金属地(12)。

3.按权利要求1所述的基于基片集成镜像介质波导的水平极化漏波天线，其特征在于：中心传输带宽度为6mm，两侧打孔区域各有5排非金属化孔形成的空气孔区域，非金属化孔直径为1.8mm，周期为2mm，每个非金属化孔和其右侧相邻的上下两个非金属化孔成正三角形排布。

4.按权利要求1所述的基于基片集成镜像介质波导的水平极化漏波天线，其特征在于：每个辐射单元包括两个平行的金属条。