[发明专利]N型钝化接触电池的制作系统及方法

说明书

本发明技术方案公开了一种N型钝化接触电池的制作系统以及制作方法，通过PECVD组合边缘隔离技术，解决了LPCVD方法沉积n+多晶硅层绕镀以及PECVD沉积第二掩膜层造成的正面多晶硅薄膜边缘残留的问题，该技术方案可兼容于常规制作P型电池的产线，促进了N型钝化接触高效电池量产推进。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，更具体的说，涉及一种N型钝化接触电池的制作系统及方法。

背景技术

N型电池得益于其高效率、低衰减等优势，成为当今光伏行业内新的研发热点，尤其目前PERC(Passivated Emitterand Rear Cell，钝化发射极和背面电池)电池可能面临着严重的LeTID(Light elevated Temperature Induce Degradation，热辅助光衰减)等衰减问题，许多光伏产品供应商都将N型产品列入了量产规划中。在高效N型技术方面，最典型的代表是IBC(Interdigitated back contact，指交叉背接触)电池和HIT(Heterojunctionwith Intrinsic Thinfilm，本征薄膜的异质结构)电池。但这两种电池技术的缺点是生产设备非常昂贵、工艺复杂、制造成本很高，另外也具有很高的技术壁垒。而光伏行业的最终目标是降低发电成本，N型高效电池的研发必须避开复杂的技术路线以降低工艺成本。

发明人研究发现，与常规P型产线兼容度最高的是N型常规双面电池，除了硼扩散工艺，其他设备均可采用现有量产设备进行开发。而N型钝化接触电池是N型常规双面电池的下一代升级产品，只需要在其基础上再添加一台LPCVD(低压化学气相沉积)设备。升级后，N型双面电池的开路电压可提高30mV，转换效率提升1.5-2.5％，效率增益远大于设备投资成本的增加。对于N型钝化接触电池而言，其量产的核心是如何解决LPCVD沉积多晶硅薄膜所带来的绕镀问题。

发明内容

有鉴于此，本发明技术方案提供了一种N型钝化接触电池的制作系统以及制作方法，解决了LPCVD方法沉积n+多晶硅层绕镀

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种N型钝化接触电池的制作系统，所述制作系统包括：

氧化设备，所述氧化设备用于对电池基片的背面进行氧化处理，在所述电池基片的背面形成遂穿氧化层；所述电池基片包括n型基底以及依次形成于所述n型基底正面的p+扩散层和第一掩膜层；

LPCVD设备，所述LPCVD设备用于在所述隧穿氧化层表面形成n+多晶硅层，所述隧道氧化层和所述n+多晶硅层形成钝化接触；所述n+多晶硅层绕镀到所述n型基底的侧面和正面四周边缘区域；

PECVD设备，所述PECVD设备用于形成覆盖所述n+多晶硅层的第二掩膜层；

等离子刻蚀设备，所述等离子刻蚀设备用于通过边缘隔离去除绕镀到所述n型基底侧面和正面四周边缘区域的所述第二掩膜层；

第一刻蚀设备，所述第一刻蚀设备用于基于所述第一掩膜层和所述第二掩膜层，去除绕镀到所述n型基底的侧面和正面四周边缘区域的所述n+多晶硅层；

第二刻蚀设备，所述第二刻蚀设备用于去除所述第一掩膜层和所述第二掩膜层；

钝化设备，所述钝化设备用于在所述p+扩散层的表面形成正面钝化层，在所述n+多晶硅层的表面形成背面钝化层；

金属化设备，所述金属化设备用于形成正面电极和背面电极。

优选的，在上述制作系统中，还包括：

高温扩散炉管，所述高温扩散炉管用于对n型基底的正面依次形成所述p+扩散层和所述第一掩膜层；所述p+扩散层和所述第一掩膜层绕镀到所述n型基底的侧面和背面四周边缘区域；