[发明专利]一种单层硒化铜二维原子晶体材料及其制备方法和用途

权利要求书

1.一种单层硒化铜二维原子晶体材料，其表面具有由晶格失配形成的一维摩尔条纹结构，所述一维摩尔条纹的周期为1.8nm，在所述单层硒化铜二维原子晶体材料的二维平面内，铜原子和硒原子以交替形式形成周期性的六角蜂窝状结构，所述六角蜂窝状结构的晶格周期为在一个高对称方向为0.44nm，在另外两个高对称方向为0.41nm。

2.一种制备权利要求1所述的单层硒化铜二维原子晶体材料的方法，包括以下步骤：

在超高真空环境下，将硒原子蒸发并沉积到25～30℃的铜单晶基底表面，沉积时间为10～20分钟，从而生成具有一维摩尔条纹结构的单层硒化铜二维原子晶体材料。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述方法还包括以下步骤：在沉积结束后，将铜单晶基底和沉积到铜单晶基底表面上的硒原子升温到生长温度，并保持一段时间，然后再将铜单晶基底和沉积到铜单晶基底表面上的硒原子降温至25～30℃的步骤。

4.如权利要求3所述的方法，其中，所述生长温度为40～400℃，升温到生长温度后保持的时间为10～120分钟。

5.如权利要求2至4中任一项所述的方法，其中，所述将硒原子蒸发并沉积到铜单晶基底的步骤是通过热阻式加热使硒原子蒸发并沉积到所述铜单晶基底上。

6.如权利要求2至5中任一项所述的方法，其中，在120℃～125℃的蒸发温度下使所述硒原子蒸发。

7.如权利要求2至6中任一项所述的方法，其中，所述铜单晶基底是通过包括以下步骤的方法制备的：

a.在超高真空腔内，对铜单晶进行氩离子溅射处理以得到铜基底；

b.将所述铜基底加热并保持在500℃，维持10-30分钟。

8.一种无耗散的电子器件，其包括权利要求1所述的单层硒化铜二维原子晶体材料。

9.权利要求1所述的单层硒化铜二维原子晶体材料在制备无耗散的电子器件中的用途。