[发明专利]一种采用磁控溅射制备荧光碳化硅薄膜的方法有效
| 申请号： | 201910355367.8 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN110273125B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 贺振华;刘灿辉;李洁翎;朱世飞 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35;H01L33/00;H01L33/50 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 唐万荣 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 磁控溅射 制备 荧光 碳化硅 薄膜 方法 | ||
1.一种采用磁控溅射制备荧光碳化硅薄膜的方法，其特征是它包括如下步骤：
(1)选择制备材料：选择单晶硅为衬底材料，选择碳化硅为溅射靶材，选择多孔阳极氧化铝为模板；
(2)制备生长模板：取一片单晶硅衬底材料，将多孔阳极氧化铝模板转移到单晶硅衬底材料上，得到生长模板；
所述多孔阳极氧化铝模板的孔径尺寸为Φ260纳米，空间周期为450纳米，圆孔排布呈现三角排布；
(3)将生长模板送入磁控溅射器的真空腔内，溅射靶材选择碳化硅，将真空腔内抽真空；
(4)加温、沉积：磁控溅射器的工作气体采用氩气，工作气压为1Pa至10Pa，氩气流量是10sccm至100sccm，射频溅射功率是20W至300W；单晶硅衬底材料的温度保持在25℃至600℃，升温速率为20摄氏度/分钟，单晶硅衬底材料的温度保持时间是1分钟至120分钟；多孔阳极氧化铝模板上生长碳化硅薄膜；得到荧光碳化硅薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种采用磁控溅射制备荧光碳化硅薄膜的方法，其特征在于：所述单晶硅的取向为100，质量纯度为99.9％。
3.根据权利要求1所述的一种采用磁控溅射制备荧光碳化硅薄膜的方法，其特征在于：所述碳化硅的质量纯度为99.9％。
4.根据权利要求1所述的一种采用磁控溅射制备荧光碳化硅薄膜的方法，其特征在于：所述氩气的体积纯度为99.999％。
5.根据权利要求1所述的一种采用磁控溅射制备荧光碳化硅薄膜的方法，其特征在于：所述步骤(4)的加温、沉积工艺中，单晶硅衬底材料的温度保持在100℃至600℃。
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