[发明专利]利用氢自由基的设备和其使用方法在审
申请号: | 201910355382.2 | 申请日: | 2019-04-29 |
公开(公告)号: | CN110473802A | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 林兴;魏创;王文涛;高培培;王非;B·B·乔希斯沃兰 | 申请(专利权)人: | ASMIP控股有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 乐洪咏<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 歧管板 远程等离子体源 反应室 内表面 污染物 金属氧化物涂层 气体分布设备 中心区域径向 反应器系统 衬底去除 单个处理 气体通道 氢自由基 穿孔的 底段 顶段 氢源 室内 延伸 | ||
1.一种反应器系统,包括:
包括内表面的反应室;
耦接到所述反应室的远程等离子体源;和
耦接到所述远程等离子体源的氢源,
其中所述内表面的至少一部分包括金属氧化物涂层。
2.根据权利要求1所述的反应器系统,其中所述金属氧化物包括氧化铝。
3.根据权利要求1所述的反应器系统,其中所述涂层是使用原子层沉积法形成。
4.根据权利要求1所述的反应器系统,其中所述涂层的厚度在约100nm至约750nm的范围内。
5.根据权利要求1所述的反应器系统,其中所述涂层是使用阳极化工艺形成,并且其中所述涂层是无孔的。
6.根据权利要求5所述的反应器系统,其中所述涂层的平均表面粗糙度在约0.1μm至约0.8μm的范围内。
7.根据权利要求5所述的反应器系统,其中所述涂层的厚度在约100nm至约1000nm的范围内。
8.一种气体分布设备,包括:
顶段;
其中形成有多个穿孔的底段;和
其间的歧管板,
其中所述歧管板包括从所述歧管板的中心区域径向延伸的多个气体通道。
9.根据权利要求8所述的气体分布设备,其中所述歧管板包括约4至约48个气体通道。
10.根据权利要求8所述的气体分布设备,其中包括氢自由基的气体通过所述顶段的一部分被接收并且使用所述多个气体通道分布到所述顶段与所述孔之间的区域。
11.根据权利要求8所述的气体分布设备,其中所述孔中的每一个的直径在约0.5mm至约3mm的范围内。
12.根据权利要求8所述的气体分布设备,其中所述通道中的每一个的直径在约5mm至约15mm的范围内。
13.根据权利要求8所述的气体分布设备,其中所述歧管板包括金属和涂有金属氧化物的内表面。
14.根据权利要求8所述的气体分布设备,其中所述歧管板使用一个或多个紧固件和焊接耦接到所述顶板。
15.一种气体分布设备,包括:
顶段,所述顶段具有接收气体的开口;
其中形成有多个穿孔的底段,所述底段包括中心区域和外部区域;和
腔室,所述腔室形成于所述顶段与所述底段之间,
其中所述外部区域中的所述孔的直径大于所述中心区域中的所述孔的直径。
16.根据权利要求15所述的气体分布设备,其中所述中心区域中的所述孔的直径在约0.5mm至约1.5mm的范围内。
17.根据权利要求15所述的气体分布设备,其中所述外部区域中的所述孔的直径在约1mm至约3mm的范围内。
18.根据权利要求15所述的气体分布设备,其中所述表面的内部涂有金属氧化物。
19.根据权利要求15所述的气体分布设备,其中所述多个孔在所述外部区域的密度大于在所述中心区域的密度。
20.根据权利要求19所述的气体分布设备,其中所述外部区域的周长大于在包括所述气体分布系统的反应室中待处理的衬底的周长。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASMIP控股有限公司,未经ASMIP控股有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910355382.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基板加压模块及方法及包含其的基板处理设备及方法
- 下一篇:加工装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造