[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201910356172.5 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111863619A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，在所述衬底上依次交替形成至少一层牺牲层和至少一层衬层；
刻蚀所述衬层和所述牺牲层，直至暴露出所述衬底，在所述衬底上形成若干分立排布的鳍部；
刻蚀部分厚度的所述衬底，所述牺牲层底部的所述衬底的宽度小于所述鳍部上的所述衬层的宽度。
2.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括，刻蚀所述鳍部上的所述衬层的两侧，刻蚀后的所述衬层的宽度自所述衬底向上呈逐层递增的方式排布。
3.如权利要求2所述半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述衬底上形成若干分立排布的鳍部之前，还包括，采用离子掺杂法使所述衬层的刻蚀速率小于所述衬底的刻蚀速率。
4.如权利要求3所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述衬层的材料包括硅或锗或硅锗或砷化镓中的一种或者多种。
5.如权利要求3所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述离子掺杂法采用的离子包括硼离子、磷离子或砷离子。
6.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括硅或锗或硅锗或砷化镓中的一种或者多种。
7.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，刻蚀部分厚度的所述衬底之后，还包括，去除所述鳍部上的所述牺牲层，在所述鳍部内形成通道。
8.如权利要求7所述半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述鳍部上的所述牺牲层，在所述鳍部内形成通道之前，还包括在所述衬底上形成隔离结构，所述隔离结构覆盖所述鳍部的侧壁。
9.如权利要求2所述半导体器件的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺刻蚀部分厚度的所述衬底和所述鳍部上的所述衬层的两侧。
10.一种采用权利要求1至9任一项方法所形成的半导体器件，其特征在于，包括：
衬底；
若干鳍部，分立排布于所述衬底上，且各所述鳍部由牺牲层和衬层组成；
其中：牺牲层，位于所述衬底以及衬层上；
衬层，位于所述牺牲层上；
所述牺牲层底部的所述衬底的宽度小于所述衬层的宽度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
