[发明专利]一种晶体生长连续加料方法及装置

权利要求书

1.一种晶体生长连续加料装置，其包括预制的细料棒、加料计量装置、加料装置、晶体生长装置及控制系统，其中：

所述细料棒在预制时根据待生长的晶体进行配料；

所述晶体生长装置用于利用晶体生长溶液进行所述晶体的生长；

所述加料装置用于接收所述细料棒，并将其伸入所述晶体生长装置中的所述晶体生长溶液；

所述加料计量装置用于计量加入所述晶体生长溶液中的所述细料棒的量；以及

所述控制系统根据加入所述晶体生长溶液中的所述细料棒的量控制所述加料装置的加料速度。

2.如权利要求1所述的晶体生长连续加料装置，其中，所述细料棒经配料、混料、压块、烧结和高温烧结步骤制备而成。

3.如权利要求1所述的晶体生长连续加料装置，其中，所述晶体生长装置包括：

生长坩埚；

温控装置，其用于使所述生长坩埚中的原料熔化为所述晶体生长溶液并控制所述晶体生长溶液的温度；

提拉单元，其包括提拉装置和提拉杆，所述提拉装置控制所述提拉杆将籽晶伸入到所述晶体生长溶液中并缓缓向上提拉出所述晶体；以及

提拉称重装置，其对提拉出的所述晶体的大小进行监控。

4.如权利要求1所述的晶体生长连续加料装置，其中，所述加料计量装置为加料称重装置，其用于称重未融入所述晶体生长溶液中的所述细料棒的重量。

5.如权利要求1所述的晶体生长连续加料装置，其中，所述控制系统还根据所述晶体生长装置所生长的晶体的大小控制所述晶体的生长速度；并且/或者，对所述晶体生长装置中的温场进行控制。

6.如权利要求1所述的晶体生长连续加料装置，其中，所述晶体生长装置可以设置成使所述晶体生长的中心位置位于所述晶体生长溶液的中央区域；并且/或者所述加料装置设置成使所述细料棒伸入位置靠近所述晶体生长溶液的边缘区域。

7.如权利要求3所述的晶体生长连续加料装置，其中，所述细料棒预制成具有0.1mm-10mm的直径；并且/或者所述加料装置设置成提供小于1mm/min的细料棒伸入精度；并且/或者所述加料称重装置具有小于0.1g的称重精度。

8.一种晶体生长连续加料方法，其包括以下步骤：

利用晶体生长装置从晶体生长溶液中生长晶体，对生长的所述晶体的大小进行监控，并由控制系统来控制所述晶体的生长速度；

同时，利用加料装置将细料棒伸入所述晶体生长溶液，对加料量进行监控，并由所述控制系统来控制加料速度；

其中，所述细料棒根据所述晶体进行配料并预制而成。

9.如权利要求8所述的晶体生长连续加料方法，其利用如权利要求1-7中任一项所述的晶体生长连续加料装置进行加料。