[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部，鳍部露出的衬底上还形成有隔离层，所述隔离层覆盖鳍部的部分侧壁，所述隔离层上形成有伪栅结构，所述伪栅结构横跨所述鳍部的部分顶部和部分侧壁，所述伪栅结构两侧的基底内形成有源漏掺杂层；

在所述伪栅结构露出的隔离层上形成第一介质层，所述第一介质层露出所述伪栅结构的部分侧壁，所述第一介质层的顶面低于所述伪栅结构的顶面；

至少在所述第一介质层所露出的所述伪栅结构侧壁上形成自对准停止层；

形成所述自对准停止层后，在所述第一介质层上形成第二介质层，所述第二介质层露出所述伪栅结构顶部，且所述第二介质层和第一介质层用于作为层间介质层；

形成所述第二介质层后，将所述伪栅结构替换为栅极结构；

刻蚀相邻所述栅极结构侧壁上的自对准停止层之间的层间介质层，形成露出所述源漏掺杂层顶部的接触孔；

在所述接触孔内形成接触孔插塞，所述接触孔插塞与所述源漏掺杂层电连接。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一介质层的步骤包括：在所述伪栅结构露出的基底上的第一介质材料层，所述第一介质材料层露出所述伪栅结构顶部；去除部分厚度的所述第一介质材料层，剩余所述第一介质材料层作为所述第一介质层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除部分厚度的所述第一介质材料层。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一介质层的步骤中，所述第一介质层露出所述源漏掺杂层顶部。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述自对准停止层的步骤中，所述自对准停止层位于所述第一介质层所露出的所述伪栅结构的侧壁上。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述自对准停止层的步骤包括：形成保形覆盖所述第一介质层所露出伪栅结构和所述基底的自对准停止材料层；去除所述伪栅结构顶部和基底上的自对准停止材料层，剩余自对准停止材料层作为所述自对准停止层。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述自对准停止层的步骤中，所述自对准停止层保形覆盖露出于所述第一介质层的伪栅结构和所述基底；

形成所述接触孔的步骤中，还包括：刻蚀所述基底上的自对准停止层。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二介质层的步骤包括：在所述第一介质层上形成第二介质材料层，所述第二介质材料层覆盖所述伪栅结构顶部的自对准停止层；去除高于所述伪栅结构顶部的所述第二介质材料层，剩余所述第二介质材料层作为所述第二介质层；

去除高于所述伪栅结构顶部的所述第二介质材料层的步骤中，去除高于所述伪栅结构顶部的自对准停止层。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除高于所述伪栅结构顶部的所述第二介质材料层的步骤包括：以所述伪栅结构顶部的自对准停止层顶面为停止位置，对所述第二介质材料层进行第一平坦化处理；进行第一平坦化处理后，以所述伪栅结构顶部为停止位置，对所述第二介质材料层和自对准停止层进行第二平坦化处理。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述自对准停止层的工艺包括原子层沉积工艺。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述自对准停止层的步骤中，所述自对准停止层的厚度为5纳米至15纳米。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述自对准停止层的步骤中，所述自对准停止层的材料为氮化硅、氧化铝、氮化铝或NDC。