[发明专利]放射线图像检测面板及其制作方法、放射线图像检测装置

说明书

本发明公开了一种放射线图像检测面板及其制作方法、放射线图像检测装置，包括：衬底基板；设置于衬底基板上的多个光电二极管；光电二极管包括N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层；本征半导体层位于N型半导体层背离衬底基板的一侧，P型半导体层位于本征半导体层背离衬底基板的一侧；P型半导体层部分覆盖本征半导体层，以暴露至少一个第一区域中的本征半导体层；本征半导体层向衬底基板的正投影面积为S1，P型半导体层向衬底基板的正投影面积为S2，40％*S1≤S2<S1。相对于现有技术，可以提高光电二极管的灵敏度。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种放射线图像检测面板及其制作方法、放射线图像检测装置。

背景技术

现有技术中，提供了一种XRD装置，用于检测图像。

XRD即X-ray diffraction的缩写，X射线入射进入XRD装置后，通过闪烁体转化成可见光。可见光被光感元件吸收转化成电流，通过对转化的电流进行分析和计算，可以获得X射线的入射图案。

现有技术提供的一种XRD装置中，使用半导体二极管作为光感元件，然而，目前半导体二极管的灵敏度较低，XRD装置所得到的X射线图像的精确度降低。

因此，提高XRD装置中光感元件的灵敏度，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种放射线图像检测面板及其制作方法、放射线图像检测装置，以解决现有技术提出的问题。

一方面，本发明提供了一种放射线图像检测面板，包括：衬底基板；设置于衬底基板上的多个光电二极管；光电二极管包括N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层；本征半导体层位于N型半导体层背离衬底基板的一侧，P型半导体层位于本征半导体层背离衬底基板的一侧；P型半导体层部分覆盖本征半导体层，以暴露至少一个第一区域中的本征半导体层；本征半导体层向衬底基板的正投影面积为S1，P型半导体层向衬底基板的正投影面积为S2，40％*S1≤S2<S1。

另一方面，本发明提供了一种放射线图像检测面板的制作方法，包括：提供衬底基板；在衬底基板上形成N型半导体材料层；图案化N型半导体材料层，形成多个N型半导体层；在N型半导体层背离衬底基板的一侧表面形成本征半导体材料层；图案化本征半导体材料层，形成多个本征半导体层；在本征半导体层背离衬底基板的一侧表面形成P型半导体材料层；图案化P型半导体材料层，形成多个P型半导体层，P型半导体层部分覆盖本征半导体层，以暴露至少一个第一区域中的本征半导体层；本征半导体层向衬底基板的正投影面积为S1，P型半导体层向衬底基板的正投影面积为S2，40％*S1≤S2<S1；N型半导体层、本征半导体层、P型半导体层堆叠形成光电二极管。

又一方面，本发明提供了一种放射线图像检测装置，包括本发明提供的放射线图像检测面板。

与现有技术相比，本发明提供的放射线图像检测面板及其制作方法、放射线图像检测装置，至少实现了如下的有益效果：

光电二极管包括N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层，P型半导体层部分覆盖本征半导体层，以暴露至少一个第一区域中的本征半导体层；本征半导体层向衬底基板的正投影面积为S1，P型半导体层向衬底基板的正投影面积为S2，40％*S1≤S2<S1。当放射线图像检测面板在进行图像检测时，由于本征半导体层在第一区域中没有被P型半导体层覆盖，第一区域的本征半导体层直接吸收入射光子。相比较于光线经过P型半导体层照射至本征半导体层而言，第一区域的本征半导体层的光照强度更大，从而光生载流子更多，相应的电流更大。较大的电流更容易被检测和识别，并且可以提高信噪比，因此可以提高光电二极管的灵敏度。相对于现有技术，本申请提供的放射线图像检测面板，光电二极管的灵敏度较高，对于图像的检测更加精确。

当然，实施本发明的任一产品不必特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。