[发明专利]一种控制NOR flash存储器性能的方法和装置

说明书

本发明提供了一种控制NOR flash存储器性能的方法和装置。所述方法包括：判断所述源漏互换开关的状态，接收编程操作指令，若源漏互换开关的状态为打开，调整编程验证电压为第一目标电压，根据调整后的第一目标电压，执行编程操作指令。本发明提供的控制NOR flash存储器性能的方法以及装置，调整编程验证电压为第一目标电压，调整擦除验证电压为第二目标电压，调整读验证电压为第三目标电压，再根据调整后的目标电压，执行编程操作指令、擦除操作指令和读操作指令，从而保证读操作的电压范围依然保持不变，使得编程操作、擦除操作相较于现有技术变得简单，提高了NOR flash存储器的性能。

技术领域

本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种控制NOR flash存储器性能的方法和装置。

背景技术

随着对NOR Flash存储单元擦/写次数的增加，编程单元的阈值电压越来越低，擦除单元的阈值电压越来越高。如果擦/写验证电压不变，擦/写所需的时间会越来越长，同时由于编程单元阈值下降，擦除单元阈值升高，导致读操作阈值窗口变窄，降低了读操作的可靠性。

如图1所示，是以存储单元漏端为测试点，得到的存储单元阈值电压分布随擦/写次数的变化趋势。图中Vev是在做擦除操作时的验证电压，擦除操作时被擦除存储单元的阈值电压需擦除到该点以下；Vpv是在做编程操作时的验证电压，编程操作时被编程存储单元的阈值电压需编程到该点之上；Vread是读操作时的参考电压，在该电压以下表示擦除存储单元，在该点之上表示编程存储单元；图中实线是初始状态下的存储单元阈值电压分布，虚线是擦/写次数达到一定数量后的存储单元阈值电压分布，随着擦/写次数的增加，擦除存储单元的阈值电压增加，图中实线1所示范围向右移动，且阈值电压的分布随着擦除次数的增加可能超过Vev，变为虚线2所示范围，会使得擦除越来越难；编程存储单元的阈值电压减小，图中实线4所示范围向左移动，且阈值电压的分布随着编程次数的增加可能低于Vpv，变为虚线3所示范围，会使得编程越来越难。同时，随着编程存储单元阈值降低，擦除存储单元阈值升高，而读操作电压的范围是指：大于擦除验证电压、小于编程验证电压的范围，所以当擦除存储单元的阈值电压增加，编程存储单元的阈值电压减小，就导致读操作电压范围变窄。

发明内容

本发明提供的一种控制NOR flash存储器性能的方法和装置，解决了存储单元阈值电压随擦/写次数增加，擦除存储单元的阈值电压增加，使得擦除越来越难；编程存储单元的阈值电压减小，使得编程越来越难，导致读操作电压范围变窄的问题。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种控制NOR flash存储器性能的方法，所述NOR flash存储器包括：源漏互换开关，所述方法包括：

判断所述源漏互换开关的状态；

接收编程操作指令；

若所述源漏互换开关的状态为打开，调整编程验证电压为第一目标电压；

根据调整后的所述第一目标电压，执行所述编程操作指令。

可选地，所述NOR flash存储器还包括：存储单元、调换源端电压源以及调换漏端电压源，所述调换源端电压源产生所述NOR flash存储器中源端和漏端互换之后漏端所需的电压，所述调换漏端电压源产生所述NOR flash存储器中源端和漏端互换之后源端所需的电压，所述存储单元与所述源漏互换开关连接，所述源漏互换开关分别与所述调换源端电压源和所述调换漏端电压源连接，在判断所述源漏互换开关的状态之后，所述方法还包括：

若所述源漏互换开关的状态为打开，则所述调换源端电压源向所述存储单元的漏端提供电压，所述调换漏端电压源向所述存储单元的源端提供电压。

可选地，所述源漏互换开关与上位机连接，所述方法还包括：

所述上位机在确定完成单个编程操作指令对应的编程操作所需的时间大于预设时间时，控制所述源漏互换开关打开。