[发明专利]一种控制NOR flash存储器编程验证的方法和装置

说明书

本发明提供了一种控制NOR flash存储器编程验证的方法和装置。NOR flash存储器包括：数据锁存器、地址锁存器、编程验证单元以及存储单元，所述方法包括：NOR flash存储器接收编程操作指令和待编程数据，将待编程数据输入到数据锁存器，控制编程验证单元对数据锁存器中多个地址中每个地址对应的待编程数据分别执行第一次编程验证操作，并将验证未通过的待编程数据对应的地址锁存到地址锁存器中，读取锁存的验证未通过的待编程数据对应的地址，NOR flash存储器控制编程验证单元对验证未通过的待编程数据执行第二次编程验证操作。本发明只对没有通过编程验证操作的待编程数据执行编程验证操作，由此缩短了NOR flash存储器编程操作的时间，提高NOR flash存储器的编程性能。

技术领域

本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种控制NOR flash存储器编程验证的方法和装置。

背景技术

目前NOR flash存储器在执行编程操作时，现有编程操作流程是NOR flash存储器接收编程指令后，对待编程数据执行编程验证操作，若是验证不通过需要执行编程加压操作，在执行完编程加压操作后，即使已验证通过的数据，再次执行编程验证时也会对其执行编程验证操作，浪费了不必要的时间，导致降低了NOR flash存储器的编程性能。

参照图1，示出了现有NOR flash存储器编程操作的基本原理示意图，一次编程操作的最大编程数据大小为兆个字节(即M个byte)，在接收编程指令后，将待编程数据先锁存起来(最大能锁存M个byte)，锁存进一个锁存器中，这些待编程数据会占用该锁存器的多个地址，例如待编程数据为1Mbyte，其占用锁存器的多个地址分别为1～M，之后对其执行编程验证操作，需要从锁存器的首地址到末地址，逐个地址比较是否需要执行编程加压操作，在逐个完成编程验证完成后，如果有需要执行编程加压操作的，则对其执行编程加压操作，在编程加压操作完成之后继续执行编程验证操作，则需要再从锁存器首地址到末地址逐个验证，即前面已经通过了编程验证的，仍会做编程验证操作，直到整个1Mbyte的待编程数据全部都验证通过，浪费了不必要的时间，导致降低了NOR flash存储器的编程性能。

发明内容

本发明提供的一种控制NOR flash存储器编程验证的方法和装置，解决了在编程操作时，不但要对执行过编程加压操作的待编程数据执行编程验证操作，还需要对已通过验证的待编程数据再次执行编程验证操作，浪费了不必要的时间，导致NOR flash存储器的编程性能降低的问题。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种控制NOR flash存储器编程验证的方法，所述NOR flash存储器包括：数据锁存器、地址锁存器、编程验证单元以及存储单元，所述编程验证单元与所述数据锁存器、所述地址锁存器以及所述存储单元分别连接，所述方法包括：

所述NOR flash存储器接收编程操作指令和待编程数据；

所述NOR flash存储器将所述待编程数据输入到所述数据锁存器，所述待编程数据占用所述数据锁存器的多个地址；

所述NOR flash存储器控制所述编程验证单元对所述数据锁存器中所述多个地址中每个地址对应的待编程数据分别执行第一次编程验证操作，并将验证未通过的待编程数据对应的地址锁存到所述地址锁存器中；

所述NOR flash存储器从所述地址锁存器中读取锁存的所述验证未通过的待编程数据对应的地址，以确定对应的验证未通过的待编程数据；

所述NOR flash存储器控制所述编程验证单元对所述验证未通过的待编程数据执行第二次所述编程验证操作。

可选地，在所述NOR flash存储器控制所述编程验证单元对所述验证未通过的的待编程数据执行第二次所述编程验证操作之后，所述方法还包括：