[发明专利]一种控制编程性能的方法和装置

说明书

本发明提供了一种控制编程性能的方法和装置。所述方法应用于NOR flash存储器，NOR flash存储器包括：编程循环次数检测单元、编程操作状态机、时钟频率发生器以及编程存储单元，编程操作状态机包括：计数器，所述方法包括：编程操作状态机接收编程操作指令和待编程数据，根据编程操作指令和待编程数据执行编程验证操作，验证不通过则根据循环次数，调整时间，根据调整后的时间完成编程加压操作。本发明在执行编程加压操作时，NOR flash存储器根据循环次数，调整单次编程加压操作的时间，完成编程加压操作，控制编程验证操作和编程加压操作的循环周期，提高NOR flash存储器的编程性能。

技术领域

本发明涉及存储领域，尤其涉及一种控制编程性能的方法和装置。

背景技术

目前NOR flash存储器采用沟道载流子热电子注入的方式实现编程操作，研究结果表明编程时所加电压的时间越长，对NOR flash存储器的存储单元的编程效果就越好。

参照图1，示出了现有NOR flash存储器编程原理示意图，编程操作是通过热电子注入方式利用高电场加速得到的热电子注入浮栅层，从而改变浮栅层的阈值达到编程的效应，为了形成导电沟道，需要给漏端(D)加一个正压，为了使电子到达浮栅层，需要给栅端(G)加一个正压，源端(S)和衬底接地，研究表明，编程加压的时间增加，电子达到浮栅的数量越理想，编程的成功率越大。

目前编程操作过程中，编程操作状态机中控制编程加压时间的计数器的最大值及时钟频率发生器(CLK发生器)的频率，在出厂时是确定好的，然而，随着编程擦除次数的增加，由于各种缺陷的存在，单次编程成功的概率有所下降，芯片完成整体编程操作的时间就会越来越长，编程性能越来越差，甚至最终无法完成编程任务。

发明内容

本发明提供的一种控制编程性能的方法以及装置，解决了随着编程擦除次数的增加，单次编程成功的概率有所下降，但单次编程加压操作的时间固定，完成整个编程操作所需要时间就会越长，甚至最终无法完成编程任务的问题。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种控制编程性能的方法，所述方法应用于NOR flash存储器，所述NOR flash存储器包括：编程循环次数检测单元、编程操作状态机、时钟频率发生器以及编程存储单元，所述编程操作状态机包括：计数器，所述编程循环次数检测单元与所述时钟频率发生器连接，所述编程操作状态机分别与所述时钟频率发生器和所述编程存储单元连接，所述方法包括：

通过所述编程操作状态机接收编程操作指令和待编程数据，所述待编程数据为所需写入所述编程存储单元的数据；

根据所述编程操作指令和待编程数据，通过所述编程操作状态机执行编程验证操作，所述编程验证操作为验证所述待编程数据是否与所述编程存储单元中已存储数据一致的操作，若一致则验证通过，若不一致则验证不通过；

若验证不通过，通过所述编程操作状态机执行编程加压操作，所述编程加压操作为对所述编程存储单元持续施加预设电压值的操作，所述持续施加预设电压值的时间为所述计数器的最大值与所述时钟频率发生器的周期的乘积；

其中，通过所述编程操作状态机执行编程加压操作，包括：

所述NOR flash存储器接收所述编程循环次数检测单元发送的所述编程验证与所述编程加压的循环次数，所述循环次数为完成所述编程操作指令对应的编程操作需要执行所述编程验证操作和所述编程加压操作的次数，每一次循环次数对应一次所述编程验证操作和一次所述编程加压操作；

根据所述循环次数，通过所述编程操作状态机调整所述时间；

根据调整后的时间，通过所述编程操作状态机完成本次循环次数对应的所述编程加压操作；