[发明专利]一种控制擦除性能的方法和装置有效
申请号: | 201910356982.0 | 申请日: | 2019-04-29 |
公开(公告)号: | CN111863091B | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | 刘言言;许梦;付永庆 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司 |
主分类号: | G11C16/14 | 分类号: | G11C16/14;G11C16/34 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 控制 擦除 性能 方法 装置 | ||
本发明提供了一种控制擦除性能的方法以及装置。所述方法应用于NOR flash存储器,所述NOR flash存储器包括:擦除循环次数检测单元、时钟频率发生器、擦除操作状态机以及擦除存储单元,所述擦除操作状态机包括:计数器,所述方法包括:所述擦除操作状态机接收擦除操作指令,根据擦除操作指令执行擦除验证操作和擦除加压操作,擦除加压操作包括:接收擦除循环次数检测单元发送的循环次数,根据循环次数调整单次擦除加压操作的时间,根据调整后的时间完成擦除加压操作。本发明在执行擦除加压操作时,擦除操作状态机根据循环次数,调整单次擦除加压操作的时间,完成擦除加压操作,控制擦除验证操作和擦除加压操作的循环周期,提高NOR flash存储器的擦除性能。
技术领域
本发明涉及存储领域,尤其涉及一种控制擦除性能的方法以及装置。
背景技术
目前NOR flash存储器采用隧穿的方式实现擦除操作,研究结果表明,研究结果表明擦除时所加电压的时间越长,对NOR flash存储器的存储单元的擦除效果就越好。
参照图1,示出了现有NOR flash存储器擦除原理示意图,在执行擦除操作时,为了使电子从浮栅层隧穿到衬底,需要给栅端(G)加一个负压,衬底加正压,漏端(D)和源端(S)悬空,研究表明,擦除加压的时间越长,对NOR flash存储器中待擦除存储单元的擦除效果越好,擦除操作的成功率越大。
目前擦除操作过程中,时钟频率发生器(CLK发生器)的频率和擦除操作状态机中控制擦除加压时间的计数器的最大值,在出厂时是确定好的,然而,随着擦除次数的增加,由于各种缺陷的存在,单次擦除成功的概率下降,使得擦除操作所执行的擦除验证操作和擦除加压操作的循环周期也会增大,完成整个擦除所需要的时间就会越长,甚至最终无法完成擦除任务。
发明内容
本发明提供的一种控制擦除性能的方法以及装置,解决了随着擦除次数的增加,单次擦除成功的概率有所下降,但单次擦除加压操作的时间固定,完成整个擦除操作所需要时间就会越长,甚至最终无法完成擦除任务的问题。
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种控制擦除性能的方法,所述方法应用于NOR flash存储器,所述NOR flash存储器包括:擦除循环次数检测单元、擦除操作状态机、时钟频率发生器以及擦除存储单元,所述擦除操作状态机包括:计数器,所述擦除循环次数检测单元与所述时钟频率发生器连接,所述擦除操作状态机分别与所述时钟频率发生器和所述擦除存储单元连接,所述方法包括:
通过所述擦除操作状态机接收擦除操作指令,所述擦除操作指令包括:所需擦除存储单元的地址;
根据所述擦除操作指令,通过所述擦除操作状态机执行擦除验证操作,所述擦除验证操作为验证所述所需擦除存储单元的阈值电压是否小于第一预设电压,若小于第一预设电压则验证通过,若不小于第一预设电压则验证不通过;
若验证不通过,通过所述擦除操作状态机执行擦除加压操作,所述擦除加压操作为对所述擦除存储单元持续施加预设电压值的操作,所述持续施加预设电压值的时间为所述计数器的最大值与所述时钟频率发生器周期的乘积;
其中,通过所述擦除操作状态机执行擦除加压操作,包括:
所述NOR flash存储器接收所述擦除循环次数检测单元发送的所述擦除验证与所述擦除加压的循环次数,所述循环次数为完成所述擦除操作指令对应的擦除操作需要执行所述擦除验证操作和所述擦除加压操作的次数,每一次循环次数对应一次所述擦除验证操作和一次所述擦除加压操作;
所述NOR flash存储器调用循环次数区间段与所述时钟频率发生器的产生频率的关系表,其中,循环次数越高的区间段对应的时钟频率发生器的产生频率越慢;
所述NOR flash存储器根据所述循环次数与所述关系表,调整所述时钟频率发生器的产生频率,以调整所述时间;
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