[发明专利]NAND闪存结构的双重曝光方法

权利要求书

1.一种NAND闪存结构的双重曝光方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底，所述衬底包括存储区；

在所述衬底上的存储区沉积堆叠层；

在所述堆叠层上依次通过化学反应沉积第一牺牲层、通过高温氧化反应沉积第二牺牲层以及沉积不定性碳膜；

执行第一次刻蚀，刻蚀至所述堆叠层的上表面形成若干沟槽；以及

执行第二次刻蚀，在若干所述沟槽中加入刻蚀溶液，对所述第一牺牲层和所述第二牺牲层进行刻蚀；

所述第一牺牲层第二次刻蚀的速率大于所述第二牺牲层第二次刻蚀的速率。

2.如权利要求1所述的NAND闪存结构的双重曝光方法，其特征在于，所述第一牺牲层在所述第二次刻蚀中的刻蚀速率为所述第二牺牲层在所述第二次刻蚀中的刻蚀速率为

3.如权利要求2所述的NAND闪存结构的双重曝光方法，其特征在于，所述第一牺牲层为氧化硅，使用LPTEOS方法。

4.如权利要求2所述的NAND闪存结构的双重曝光方法，其特征在于，所述刻蚀溶液为氢氟酸溶液。

5.如权利要求4所述的NAND闪存结构的双重曝光方法，其特征在于，所述氢氟酸溶液中氢氟酸与水的比例为1:200。

6.如权利要求1所述的NAND闪存结构的双重曝光方法，其特征在于，在第一次刻蚀中，还包括以下步骤，

在所述不定性碳膜上涂介电抗反射涂层和光刻胶层；

曝光出需要刻蚀的区域；

进行干法刻蚀形成所述沟槽；

去除所述光刻胶层、所述介电抗反射涂层以及所述不定性碳膜。

7.如权利要求6所述的NAND闪存结构的双重曝光方法，其特征在于，第一次刻蚀之后，第二次刻蚀之前，若干所述沟槽呈上宽下窄的形状，所述第一牺牲层和所述第二牺牲层均呈上窄下宽的形状。

8.如权利要求1所述的NAND闪存结构的双重曝光方法，其特征在于，所述堆叠层包括依次沉积的第一非晶硅层、介质层以及第二非晶硅层。

9.如权利要求8所述的NAND闪存结构的双重曝光方法，其特征在于，在执行第二次刻蚀之后，还包括以下步骤：

沉积一层阻挡层；

去除所述第二牺牲层上和所述沟槽底部的阻挡层；

去除所述第一牺牲层和所述第二牺牲层；

以剩余的所述阻挡层为掩膜刻蚀所述第二非晶硅层、所述介质层、所述第一非晶硅层以及部分衬底；

去除剩余的所述阻挡层和所述第二非晶硅层，并研磨部分所述介质层。