[发明专利]太阳能电池及其制备方法

说明书

本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法，用以在保证太阳能电池转换率的基础上，减少太阳能电池的厚度。所述太阳能电池，包括：衬底基板；设置在所述衬底基板之上的第一电极层；设置在所述第一电极层上的绝缘层，其中，所述绝缘层包括镂空区域和非镂空区域；设置在所述绝缘层上的光电转换层，且所述光电转换层通过所述镂空区域与所述第一电极层接触。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池及其制备方法。

背景技术

目前，太阳能薄膜电池(CuIn_xGa_(1-x)Se₂，CIGS)的应用范围较广，可以与各种电子产品结合，为了在电子产品中增加太阳能薄膜电池更加美观，需要适当减少太阳能薄膜的厚度。

现有的太阳能电池的厚度范围一般在2nm-3nm之间，一般地，为了减少太阳能电池的厚度，可以适当减少CIGS吸收层的厚度，但是容易减少太阳能电池的转化效率。因此，在减少太阳能电池的厚度的同时保证太阳能电池的转换率是本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法，用以在保证太阳能电池转换率的基础上，减少太阳能电池的厚度。

第一方面，本发明提供一种太阳能电池，包括：

衬底基板；

设置在所述衬底基板之上的第一电极层；

设置在所述第一电极层上的绝缘层，其中，所述绝缘层包括镂空区域和非镂空区域；

设置在所述绝缘层上的光电转换层，且所述光电转换层通过所述镂空区域与所述第一电极层接触。

第二方面，本发明提供一种太阳能电池的制备方法，包括：

在衬底基板上形成第一电极层的图形；

在所述第一电极层之上形成绝缘层的图形，所述绝缘层的图形包括镂空区域和非镂空区域；

在所述绝缘层之上形成光电转换层的图形,所述光电转换层通过所述镂空区域与所述第一电极层接触。

本发明提供的太阳能电池，通过在第一电极层和光电转换层之间设置绝缘层，且绝缘层的图形中包括镂空区域和非镂空区域，光电转换层通过绝缘层的镂空区域与第一电极层接触。因此，本发明中通过设置绝缘层，使得光电转换层与第一电极层部分接触，从而修复第一电极层与光吸收层之间的界面缺陷，减少了载流子在界面处的复合，从而使得当光电转换层的厚度较小时，也能保证太阳能电池的转换率。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。

图1为本发明实施例提供的一种太阳能电池的结构示意图；

图2a-图2c分别为本发明实施例提供的绝缘层的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种太阳能电池的制备方法的流程示意图；

图4a-图4e分别为本发明实施例提供的绝缘层制备步骤对应的结构示意图。

具体实施方式