[发明专利]晶片接合方法

权利要求书

1.一种晶片接合方法，其特征在于，包括：

提供第一晶片和第二晶片，所述第一晶片在第一表面具有第一金属层和第一绝缘层，所述第二晶片在第一表面具有第二金属层和第二绝缘层，所述第一金属层和所述第二金属层由相同的金属材料形成；

对所述第一晶片和所述第二晶片中的一者或两者进行预处理，以在所述第一金属层和所述第二金属层中对应的一者或两者的表面处形成所述金属材料的化合物；

将所述第一晶片和第二晶片以第一金属层和第二金属层彼此面对的方式接合；以及

对接合的所述第一晶片和第二晶片进行处理，以将所述金属材料的化合物转化为所述金属材料的晶须。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述金属材料包括铜，所述金属材料的化合物包括铜的硫化物，

所述预处理包括：

利用含硫的液体所述第一金属层和所述第二金属层中的所述一者或两者进行硫化处理，以在所述第一金属层和所述第二金属层中所述一者或两者的表面处形成铜的硫化物。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述金属材料包括铜，所述金属材料的化合物包括铜的硫化物，

所述对接合的所述第一晶片和第二晶片进行处理包括：

在还原气氛中对所形成的铜的硫化物进行退火处理，以在所述第一金属层和所述第二金属层中的所述一者或两者的表面处形成铜的晶须。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

在所述第一晶片的第一表面处，所述第一金属层的边缘部分和第一绝缘层齐平；以及

在所述第二晶片的第一表面处，所述第二金属层的边缘部分和第二绝缘层齐平。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供第一晶片和第二晶片包括：

对所述第一晶片进行平坦化处理，以使得在所述第一晶片的第一表面处，所述第一金属层的边缘部分和第一绝缘层齐平；以及

对所述第二晶片进行平坦化处理，以使得在所述第二晶片的第一表面处，所述第二金属层的边缘部分和第二绝缘层齐平。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述平坦化处理包括化学机械抛光。

7.如权利要求2所述的方法，其特征在于：

所述含硫的液体包括硫脲或硫脲溶液，

所述硫化处理在90℃至400℃的温度范围以及在几分钟至几小时的时间范围内进行。

8.如权利要求3所述的方法，其特征在于：

所述退火处理在300℃至400℃的温度范围以及在几分钟至几小时的时间范围内进行。