[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

叠层结构，位于具有阵列区域和阶梯区域的衬底上，所述叠层结构包括多对叠层，其中每对所述叠层具有介电层和位于介电层下方的导电层，且位于所述阶梯区域上的所述叠层结构具有阶梯结构；

多个狭缝，位于所述叠层结构中以暴露出所述衬底，且穿越所述阵列区域和所述阶梯区域；以及

多个参考标记，沿着所述阶梯结构中的所述狭缝的至少一侧设置。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述多个参考标记是设置在所述阶梯结构的位于最上方的所述介电层和位于最上方的所述导电层中的开口。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述多个参考标记设置在所述阶梯结构的每个阶梯上。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述多个参考标记设置在所述阶梯结构中相邻两个所述狭缝间的每个区域上。

5.一种半导体结构，包括：

叠层结构，位于具有阵列区域和阶梯区域的衬底上，所述叠层结构包括多对叠层，其中每对所述叠层具有介电层和位于介电层下方的导电层，且位于所述阶梯区域上的所述叠层结构具有阶梯结构；以及

多个狭缝，位于所述叠层结构之中以暴露出所述衬底，其中位于所述阵列区域中的狭缝具有第一宽度，位于所述阶梯区域中的狭缝具有第二宽度，且所述第一宽度小于所述第二宽度。

6.一种形成半导体结构的方法，包括：

在具有阵列区域和阶梯区域的衬底上形成包括具有多对叠层的叠层结构，其中每对所述叠层具有介电层和位于介电层下方的牺牲层；

沿着预定要形成狭缝的狭缝区域，分别在多个目标位置处刻蚀位于最上方的一对所述叠层以形成参考标记；

执行第一刻蚀和修整的循环，其包括：

在所述衬底上形成第一光刻胶图案，以暴露出位于最外侧的参考标记；

刻蚀被所述第一光刻胶图案暴露的位于最上方的一对所述叠层；

修整所述第一光刻胶图案，将所述第一光刻胶图案的边界退回预定距离，以暴露位于先前暴露的所述参考标记旁的下一个所述参考标记；

重复所述刻蚀步骤和所述修整步骤数次；和

去除剩下的所述第一光刻胶图案；以及

刻蚀位于所述狭缝区域上的所述叠层结构，直到暴露出所述衬底，以形成狭缝。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述参考标记的宽度大于所述狭缝的宽度。

8.根据权利要求6所述的方法，其中位于所述阵列区域中的所述狭缝具有第一宽度，位于所述阶梯区域中的所述狭缝具有第二宽度，且所述第一宽度小于所述第二宽度。

9.根据权利要求6所述的方法，还包括执行第二刻蚀和修整的循环，其包括：

在所述衬底上形成第二光刻胶图案，其中所述第二光刻胶图案暴露出位于先前被所述第一光刻胶暴露的多个所述参考标记与位于其旁边的下一个所述参考标记；

刻蚀被所述第二光刻胶图案暴露出来的位于最上方的一对所述叠层；

修整所述第二光刻胶图案，将所述第二光刻胶图案的边界退回所述的预定距离，以暴露位于先前暴露的所述参考标记旁边的下一个所述参考标记；

重复所述刻蚀步骤和所述修整步骤数次；以及

去除剩下的所述第二光刻胶图案。

10.根据权利要求6所述的方法，还包括在形成所述多个狭缝之前，在所述叠层结构中形成多个垂直通道柱体。